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IC-Hersteller Silergy Corporation

IC-Hersteller (108)

ReferenzdesignSQ51225 | Demoboard SQ51225QJQ

Silergy Corporation SQ51225 | Demoboard SQ51225QJQ

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung9-16 V
Ausgang 12 V / 120 A
IC-Revision1.0

Typische Anwendungen

Von Silergy Corporation freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
LR(nH)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Material
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
Raster(mm)
Ø D(mm)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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885012107005
SPECWCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC), 22 µF, ±20%
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC)
Kapazität22 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung6.3 V (DC)
Bauform0805 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor15 %
Isolationswiderstand0.005 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
–
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–
–Verfügbarkeit prüfen
860130375007
SPECWCAP-ATET Aluminium-Elektrolytkondensatoren, 470 µF, ±20%
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-ATET Aluminium-Elektrolytkondensatoren
Kapazität470 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung16 V (DC)
–
–
Verlustfaktor15 %
–
–
Länge16 mm
–
–
–
VerpackungAmmopack 
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–
–
–
Endurance 2000
Rippelstrom650 mA
Leckstrom75.2 µA
Raster5 mm
Durchmesser10 mm
–Verfügbarkeit prüfen
74404042068
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel
–
–
–
Bauform4018 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
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–
Länge4 mm
Breite4 mm
Höhe1.8 mm
–
–
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.45 A
Sättigungsstrom2 A
Gleichstromwiderstand98 mΩ
Eigenresonanzfrequenz39 MHz
–
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–
–Verfügbarkeit prüfen
744302007
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, –, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
–
–
–
Bauform7050 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
–
Länge7.15 mm
Breite7 mm
Höhe5 mm
Pad Dimension2.5 mm
–
Induktivität0.072 µH
Nennstrom30 A
–
Gleichstromwiderstand0.235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
Nenninduktivität71 nH
Sättigungsstrom 162 A
Sättigungsstrom @ 30%64 A
MaterialMnZn 
–
–
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–
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443081010
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, –, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
–
–
–
Bauform1078 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
–
Länge9.4 mm
Breite6.2 mm
Höhe7.8 mm
Pad Dimension1.8 mm
–
Induktivität0.1 µH
Nennstrom38 A
–
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
Nenninduktivität100 nH
Sättigungsstrom 191.3 A
Sättigungsstrom @ 30%104.4 A
MaterialMnZn 
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–
–Verfügbarkeit prüfen