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Silergy Corporation SQ51222 | Demoboard EVB_SQ51222
Evaluation Board DB_SQ51222RPQ N+M≤5 Phase Dual-rail Multi-phase Controller
Details
| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 9-16 V |
| Ausgang 1 | 2 V / 120 A |
| IC-Revision | 1.0 |
Typische Anwendungen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Tol. C | VR(V (DC)) | Bauform | Betriebstemperatur | DF(%) | RISO | Keramiktyp | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Fl(mm) | Verpackung | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | LR(nH) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | Material | Endurance(h) | IRIPPLE(mA) | ILeak(µA) | Raster(mm) | Ø D(mm) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC), 22 µF, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC) | Kapazität22 µF | Kapazität±20% | Nennspannung6.3 V (DC) | Bauform0805 | Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C | Verlustfaktor15 % | Isolationswiderstand0.005 GΩ | KeramiktypX5R Klasse II | Länge2 mm | Breite1.25 mm | Höhe1.25 mm | Pad Dimension0.5 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||||
 | WCAP-ATET Aluminium-Elektrolytkondensatoren, 470 µF, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-ATET Aluminium-Elektrolytkondensatoren | Kapazität470 µF | Kapazität±20% | Nennspannung16 V (DC) | – | – | Verlustfaktor15 % | – | – | Länge16 mm | – | – | – | VerpackungAmmopack | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Endurance 2000 | Rippelstrom650 mA | Leckstrom75.2 µA | Raster5 mm | Durchmesser10 mm | ||||
 | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | – | – | – | Bauform4018 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | Länge4 mm | Breite4 mm | Höhe1.8 mm | – | – | Induktivität6.8 µH | Nennstrom1.45 A | Sättigungsstrom2 A | Gleichstromwiderstand98 mΩ | Eigenresonanzfrequenz39 MHz | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
 | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | – | – | – | Bauform7050 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | Länge7.15 mm | Breite7 mm | Höhe5 mm | Pad Dimension2.5 mm | – | Induktivität0.072 µH | Nennstrom30 A | – | Gleichstromwiderstand0.235 mΩ | Eigenresonanzfrequenz150 MHz | Nenninduktivität71 nH | Sättigungsstrom 162 A | Sättigungsstrom @ 30%64 A | MaterialMnZn | – | – | – | – | – | ||||
 | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | – | – | – | Bauform1070 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | Länge10.1 mm | Breite7 mm | Höhe6.8 mm | Pad Dimension2.6 mm | – | Induktivität0.15 µH | Nennstrom25 A | – | Gleichstromwiderstand0.37 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Nenninduktivität150 nH | Sättigungsstrom 153.8 A | Sättigungsstrom @ 30%60.7 A | MaterialMnZn | – | – | – | – | – |