| Topologie | Sonstige Topologie |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | RDC max.(mΩ) | Typ | Muster | |
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![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.1 µH, 19.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.1 µH | Performance Nennstrom19.6 A | Sättigungsstrom 16 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Gleichstromwiderstand3.15 mΩ | Eigenresonanzfrequenz135 MHz | MaterialSuperflux | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand3.465 mΩ | – | ||||
![]() | WE-CBF SMT-Ferrit, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | – | – | – | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz880 Ω | Maximale Impedanz940 Ω | Maximale Impedanz108 MHz | Nennstrom 24000 mA | Gleichstromwiderstand35 mΩ | TypHochstrom |