| Topologie | Abwärtswandler |
| Ausgang 1 | 2 A |
| IC-Revision | 1 |
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | fres(MHz) | VOP(V) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 4.05 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom4.05 A | Sättigungsstrom @ 30%6.3 A | Gleichstromwiderstand49 mΩ | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT |