IC-Hersteller ROHM

IC-Hersteller (103)

ROHM BD9B300MUV | Demoboard BD9B300MUV

2.7V to 5.5V Input, 3.0A Integrated MOSFET Buck DC/DC Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-5.5 V
Schaltfrequenz1000-2000 kHz
Ausgang 13.3 V / 3 A
IC-Revision004

Beschreibung

BD9B300MUV is a synchronous buck switching regulator with built-in low on-resistance power MOSFETs. This IC, which is capable of providing current up to 3A, features fast transient response by employing constant on-time control system. It offers high oscillating frequency at low inductance. With its original constant on-time control method which operates low consumption at light load, this product is ideal for equipment and devices that demand minimal standby power consumption.

Eigenschaften

  • Synchronous Single DC/DC Converter
  • Constant on-time control suitable to Deep-SLLM
  • Over Current Protection
  • Short Circuit Protection
  • Thermal Shutdown Protection
  • Under Voltage Lockout Protection
  • Adjustable Soft Start
  • Power Good Output
  • VQFN016V3030 Package (backside heat dissipation)

Typische Anwendungen

  • Step-down Power Supply for DSPs, FPGAs, Microprocessors, etc.
  • Distributed Power Supply, Secondary Power Supply
  • Laptop PCs/ Tablet PCs/ Servers / Storage Devices (HDDs/SSDs) / Printers, OA Equipment
  • LCD TVs / Entertainment Devices

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
fres(MHz)
VOP(V)
Montageart
ISAT,10%(A)
RDC max.(mΩ)
Muster
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 10.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom10.1 A
Sättigungsstrom @ 30%11.5 A
Gleichstromwiderstand12 mΩ
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 15.3 A
Gleichstromwiderstand15 mΩ
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom6.2 A
Sättigungsstrom @ 30%12.5 A
Gleichstromwiderstand22 mΩ
Eigenresonanzfrequenz89 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 16.5 A
Gleichstromwiderstand27 mΩ
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 7.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom7.4 A
Sättigungsstrom @ 30%17.7 A
Gleichstromwiderstand17.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 19.2 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 8.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom8.6 A
Sättigungsstrom @ 30%14.2 A
Gleichstromwiderstand13 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 17.4 A
Gleichstromwiderstand14 mΩ
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 10.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom10.25 A
Sättigungsstrom @ 30%12.5 A
Gleichstromwiderstand11.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz59 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 16.2 A
Gleichstromwiderstand13.5 mΩ