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Details
| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.7-5.5 V |
| Ausgang 1 | 4 V / 2 A |
| IC-Revision | 001 |
Beschreibung
BD9B207NF-Z is one of the BD9Bx07NF-Z series of single synchronous buck DC/DC converter with built-in low on-resistance power MOSFETs. It can provide current up to 2 A. The output voltage can achieve a high accuracy due to ±1 % reference voltage. It features fast transient response due to constant on-time control system. The Forced PWM Mode control reduces the output voltage ripple in the whole load range. Power Good function makes it possible for system to control sequence. It achieves the high-power density and offer a small footprint on the PCB by employing 6 pins 1.5 mm x 1.5 mm small package.
Eigenschaften
- Single Synchronous Buck DC/DC Converter
- Constant On-time Control
- Forced PWM Mode Control
- ±1 % Reference Voltage Accuracy
- 100 % Duty Cycle
- Power Good Output
- Output Discharge Function
- Over Voltage Protection (OVP)
- Over Current Protection (OCP)
- Short Circuit Protection (SCP)
- Thermal Shutdown Protection (TSD)
- Under Voltage Lockout Protection (UVLO)
Typische Anwendungen
- Step-down Power Supply for SoC, FPGA, and Microprocessor, Distributed Power Supply, Secondary Power Supply
- Printer, OA Equipment, Laptop PC / Tablet PC / Server, Storage Device (HDD / SSD)
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT1(A) | ISAT2(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | ISAT(A) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | VOP(V) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 2.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.47 µH | Nennstrom2.2 A | – | – | Gleichstromwiderstand95 mΩ | Eigenresonanzfrequenz165 MHz | Sättigungsstrom3.7 A | Performance Nennstrom3.25 A | Sättigungsstrom @ 30%4.65 A | Gleichstromwiderstand76 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
 | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 2.25 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.47 µH | Nennstrom2.25 A | – | – | Gleichstromwiderstand87 mΩ | Eigenresonanzfrequenz160 MHz | Sättigungsstrom4.4 A | Performance Nennstrom3.35 A | Sättigungsstrom @ 30%5.65 A | Gleichstromwiderstand70 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
 | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 3.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.47 µH | Nennstrom3.2 A | – | – | Gleichstromwiderstand48 mΩ | Eigenresonanzfrequenz170 MHz | Sättigungsstrom5.5 A | Performance Nennstrom4.8 A | Sättigungsstrom @ 30%6.9 A | Gleichstromwiderstand37 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 3.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.47 µH | Nennstrom3.4 A | – | – | Gleichstromwiderstand40 mΩ | Eigenresonanzfrequenz145 MHz | Sättigungsstrom6.25 A | Performance Nennstrom5.35 A | Sättigungsstrom @ 30%8 A | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
 | WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.47 µH, 7.35 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität0.47 µH | Nennstrom7.35 A | Sättigungsstrom 13.6 A | Sättigungsstrom 27.4 A | Gleichstromwiderstand29 mΩ | Eigenresonanzfrequenz150 MHz | Sättigungsstrom5 A | Performance Nennstrom5.75 A | Sättigungsstrom @ 30%7.4 A | Gleichstromwiderstand25 mΩ | – | MontageartSMT | ||||
 | WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.47 µH, 6.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität0.47 µH | Nennstrom6.8 A | Sättigungsstrom 13.75 A | Sättigungsstrom 27.9 A | Gleichstromwiderstand22 mΩ | Eigenresonanzfrequenz140 MHz | Sättigungsstrom6 A | Performance Nennstrom6.8 A | Sättigungsstrom @ 30%7.9 A | Gleichstromwiderstand18 mΩ | – | MontageartSMT | ||||
 | WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 2.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität0.47 µH | Nennstrom2.9 A | – | – | Gleichstromwiderstand35 mΩ | Eigenresonanzfrequenz129 MHz | Sättigungsstrom5.6 A | – | – | Gleichstromwiderstand29 mΩ | – | MontageartSMT |