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IC-Hersteller ROHM

IC-Hersteller (104)

ReferenzdesignBD9611

ROHM BD9611

60V Synchronous Step-down Switching Regulator (Controller Type) - BD9611MUV

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung10-56 V
Schaltfrequenz50-500 kHz
Ausgang 11 V

Beschreibung

The BD9611MUV is a high-resistance, wide voltage input (10V to 56V), synchronous step-down switching regulator. BD9611MUV offers design flexibility through user-programmable functions such as soft-start, operating frequency, high-side current limit, and loop compensation. BD9611MUV uses voltage pulse width modulation, and drives 2 external N-channel FETs. The Under-Voltage Locked Output (EXUVLO) protection connected to its CTL terminal has high accuracy reference voltage. Its threshold voltage can be adjusted by the resistance ratio between VCC and GND as seen by pin CTL. BD9611MUV is safe for pre-biased outputs. It does not turn on the synchronous rectifier until the internal high-side FET has already started switching.

Eigenschaften

  • High Resistance and Wide Range Voltage Input : VCC=10V to 56V
  • Regulated Voltage Output to Drive External FET　gate: REG10=10V
  • Internal Reference Voltage Accuracy: 0.8V±1.0%
  • Safe for Pre-biased Outputs
  • Adjustable Operating Frequency and Soft-start
  • Master/Slave Synchronization
  • Over Current Protection (OCP)
  • Under Voltage Locked Output (UVLO, EXUVLO)
  • Thermal Shut-down (TSD)

Typische Anwendungen

  • Factory Automation Equipment
  • Amusement machines
  • Office Automation Equipment
  • LED lighting

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74435561100
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 16.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

EDA-Modelle: Bauteile ZIP

CAD-Dateien ZIP

Elektrische Modelle ZIP

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ZIP

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom16.5 A
Sättigungsstrom 110 A
Sättigungsstrom @ 30%21.5 A
Gleichstromwiderstand6.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
MaterialWE-PERM 2 
Verpackungseinheit150 
–
–
Gleichstromwiderstand7.452 mΩ
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
744750560100
SPECWE-FAMI THT Speicherdrossel, 10 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

EDA-Modelle: Bauteile ZIP

Elektrische Modelle ZIP

Alle 7 Dateien als ZIP herunterladen
ZIP

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-FAMI THT Speicherdrossel
Induktivität10 µH
–
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit70 
Nennstrom11.4 A
Sättigungsstrom13.4 A
Gleichstromwiderstand6.8 mΩ
MontageartTHT 
–Verfügbarkeit prüfen