IC-Hersteller ROHM

IC-Hersteller (103)

ROHM BD83070GWL | Demoboard BD83070GWL Evaluation Board

synchronous buck-boost DC/DC converter

Details

TopologieAbwärts- und Aufwärtswandler
Eingangsspannung2-5.5 V
Schaltfrequenz1350-1650 kHz
Ausgang 12.53 V / 1 A
Ausgang 23.33 V / 1 A
IC-Revision001

Beschreibung

The BD83070GWL is a synchronous buck-boost DC/DC convertor providing 3.3 V or 2.5 V output from single-cell Li-ion battery or other input between 2.0 V and 5.5 V. It has the capability to support up to 1 A output over input voltage range of 2.7 V to 5.5 V. It seamlessly changes between buck and boost operations depending on the input voltage. It is based on pulse width modulation (PWM) and provides high efficiency for heavy load. While in PWM operation, internal FETs switch at fixed frequency 1.5 MHz typical. It automatically changes over control system to hysteresis pulse frequency modulation (PFM) to suppress switching loss and current consumption during light load. Battery drain fall down to only 2.8 μA typical at no load current. It is possible to disable auto-PFM/PWM mode by the MODE pin for suppressing output ripple and fixed frequency switching. The device is packaged in a 1.2 mm x 1.6 mm WLCSP package.

Eigenschaften

  • Automatic PFM/PWM Transition
  • Output Current: Up To 1 A (VIN > 2.7 V, VOUT = 3.3 V)
  • Selectable Output Voltage: 2.5 V or 3.3 V
  • Efficiency: Up To 95 %
  • UVLO Detection:1.61 V(Max)
  • Built-in Thermal, Over Voltage, And Over Current Protection

Typische Anwendungen

  • Single Cell Li-ion or 3 Cell NiMH Battery-Powered Portable Products / Tablet Terminal Device / Smartphone

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT1(A)
ISAT2(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
ISAT(A)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
VOP(V)
Montageart
Muster
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom1.3 A
Gleichstromwiderstand180 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
Sättigungsstrom3 A
Performance Nennstrom2.05 A
Sättigungsstrom @ 30%3.95 A
Gleichstromwiderstand150 mΩ
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom1.8 A
Gleichstromwiderstand110 mΩ
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
Sättigungsstrom3.5 A
Performance Nennstrom2.85 A
Sättigungsstrom @ 30%4.75 A
Gleichstromwiderstand92 mΩ
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom2.2 A
Gleichstromwiderstand99 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Sättigungsstrom3.7 A
Performance Nennstrom3.05 A
Sättigungsstrom @ 30%4.7 A
Gleichstromwiderstand82 mΩ
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 1.5 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom3.2 A
Sättigungsstrom 11.35 A
Sättigungsstrom 23.05 A
Gleichstromwiderstand77 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
Sättigungsstrom4 A
Performance Nennstrom3.2 A
Sättigungsstrom @ 30%3.05 A
Gleichstromwiderstand71 mΩ
MontageartSMT 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom2.1 A
Gleichstromwiderstand72 mΩ
Eigenresonanzfrequenz68 MHz
Sättigungsstrom3.5 A
Gleichstromwiderstand60 mΩ
MontageartSMT 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom1.4 A
Gleichstromwiderstand132 mΩ
Eigenresonanzfrequenz74 MHz
Sättigungsstrom2.3 A
Gleichstromwiderstand110 mΩ
MontageartSMT