| Topologie | Abwärts- und Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2-5.5 V |
| Schaltfrequenz | 1350-1650 kHz |
| Ausgang 1 | 2.53 V / 1 A |
| Ausgang 2 | 3.33 V / 1 A |
| IC-Revision | 001 |
The BD83070GWL is a synchronous buck-boost DC/DC convertor providing 3.3 V or 2.5 V output from single-cell Li-ion battery or other input between 2.0 V and 5.5 V. It has the capability to support up to 1 A output over input voltage range of 2.7 V to 5.5 V. It seamlessly changes between buck and boost operations depending on the input voltage. It is based on pulse width modulation (PWM) and provides high efficiency for heavy load. While in PWM operation, internal FETs switch at fixed frequency 1.5 MHz typical. It automatically changes over control system to hysteresis pulse frequency modulation (PFM) to suppress switching loss and current consumption during light load. Battery drain fall down to only 2.8 μA typical at no load current. It is possible to disable auto-PFM/PWM mode by the MODE pin for suppressing output ripple and fixed frequency switching. The device is packaged in a 1.2 mm x 1.6 mm WLCSP package.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT1(A) | ISAT2(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | ISAT(A) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | VOP(V) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Nennstrom1.3 A | – | – | Gleichstromwiderstand180 mΩ | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | Sättigungsstrom3 A | Performance Nennstrom2.05 A | Sättigungsstrom @ 30%3.95 A | Gleichstromwiderstand150 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Nennstrom1.8 A | – | – | Gleichstromwiderstand110 mΩ | Eigenresonanzfrequenz65 MHz | Sättigungsstrom3.5 A | Performance Nennstrom2.85 A | Sättigungsstrom @ 30%4.75 A | Gleichstromwiderstand92 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 2.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Nennstrom2.2 A | – | – | Gleichstromwiderstand99 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Sättigungsstrom3.7 A | Performance Nennstrom3.05 A | Sättigungsstrom @ 30%4.7 A | Gleichstromwiderstand82 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 1.5 µH, 3.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität1.5 µH | Nennstrom3.2 A | Sättigungsstrom 11.35 A | Sättigungsstrom 23.05 A | Gleichstromwiderstand77 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | Sättigungsstrom4 A | Performance Nennstrom3.2 A | Sättigungsstrom @ 30%3.05 A | Gleichstromwiderstand71 mΩ | – | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 2.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1.5 µH | Nennstrom2.1 A | – | – | Gleichstromwiderstand72 mΩ | Eigenresonanzfrequenz68 MHz | Sättigungsstrom3.5 A | – | – | Gleichstromwiderstand60 mΩ | – | MontageartSMT | |||||
![]() | WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 1.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1.5 µH | Nennstrom1.4 A | – | – | Gleichstromwiderstand132 mΩ | Eigenresonanzfrequenz74 MHz | Sättigungsstrom2.3 A | – | – | Gleichstromwiderstand110 mΩ | – | MontageartSMT |