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IC-Hersteller Richtek

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ReferenzdesignRTQ2158 | Demoboard RTQ2158GQWTF-QA

Richtek RTQ2158 | Demoboard RTQ2158GQWTF-QA

8A, 6.5V, 2.1MHz Synchronous Step-Down Converter Evaluation Board

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung2.85-6.5 V
Ausgang 11.2 V / 8 A
IC-Revision00

Beschreibung

The RTQ2158 is a high-performance, synchronous step-down converter that can deliver up to 8A output current with an input supply voltage range of 2.85V to 6.5V. This document explains the function and use of the RTQ2158 evaluation board (EVB), and provides information to enable operation, modification of the evaluation board, bill of materials and schematic to meet individual requirements.

Eigenschaften

  • AEC-Q100 Grade 1 Qualified
  • Dramatically Fast Transient Response
  • Steady 2.1MHz Switching Frequency
  • Extremely High Efficiency 15m/10m MOSFETs
  • Advanced COT Control Loop
  • Wide Input Voltage Range from 2.85V to 6.5V
  • Optimized for Ceramic Output Capacitors
  • Internal Start-Up into Pre-biased Outputs
  • Power Good Indicator
  • Enable Control
  • Over-Current and Over-Temperature Protections
  • Under-Voltage Protection with Hiccup Mode

Typische Anwendungen

  • Automotive Systems, Infotainment and Cockpit Systems, Vehicle ADAS ECU, Connected Car Systems
  • Broadband Communications
  • Industrial Systems

Weiterführende Informationen

Von Richtek freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744316022
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.22 µH, 29.9 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.22 µH
Performance Nennstrom29.9 A
Sättigungsstrom 114 A
Sättigungsstrom @ 30%25 A
Gleichstromwiderstand1.25 mΩ
Eigenresonanzfrequenz507 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
–Verfügbarkeit prüfen