| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 5.5-36 V |
| Schaltfrequenz | 425-575 kHz |
| Ausgang 1 | 2.5 V / 5 A |
The RT8279 is a step-down regulator with an internal power MOSFET. It achieves 5A of continuous output current over a wide input supply range with excellent load and line regulation. Current mode operation provides fast transient response and eases loop stabilization.For protection, the RT8279 provides cycle-by-cycle current limiting and thermal shutdown protection. An adjustable soft-start reduces the stress on the input source at startup. In shutdown mode, the regulator draws only 25μA of supply current.The RT8279 requires a minimum number of readily available external components, providing a compact solution. The RT8279 is available in the SOP-8 (Exposed Pad) package.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | IR(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | – | Sättigungsstrom5.8 A | Gleichstromwiderstand22 mΩ | Eigenresonanzfrequenz23.5 MHz | Bauform1050 | VersionPerformance | Nennstrom5.2 A | – | – | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 2.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Performance Nennstrom2.3 A | Sättigungsstrom2.1 A | Gleichstromwiderstand131 mΩ | Eigenresonanzfrequenz41 MHz | Bauform4532 | – | Nennstrom1.54 A | Sättigungsstrom 12.1 A | Sättigungsstrom @ 30%2.4 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.55 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom3.55 A | Sättigungsstrom2.6 A | Gleichstromwiderstand49 mΩ | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | Bauform7345 | VersionGestanzt | Nennstrom2 A | Sättigungsstrom 12.6 A | Sättigungsstrom @ 30%3.2 A | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom1.74 A | Gleichstromwiderstand182 mΩ | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | Bauform4532 | – | Nennstrom1.45 A | Sättigungsstrom 11.74 A | Sättigungsstrom @ 30%2 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | – | Sättigungsstrom4.1 A | Gleichstromwiderstand43 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16.8 MHz | Bauform1050 | VersionPerformance | Nennstrom3.5 A | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Performance Nennstrom7 A | Sättigungsstrom4.5 A | Gleichstromwiderstand28 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Nennstrom4.2 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%5.8 A | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 2.45 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Performance Nennstrom2.45 A | Sättigungsstrom1.7 A | Gleichstromwiderstand110 mΩ | Eigenresonanzfrequenz17 MHz | Bauform7345 | VersionGestanzt | Nennstrom1.41 A | Sättigungsstrom 11.7 A | Sättigungsstrom @ 30%2.1 A |