IC-Hersteller Richtek

IC-Hersteller (103)

Richtek RT8279

5A, 36V, 500kHz Step-Down Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung5.5-36 V
Schaltfrequenz425-575 kHz
Ausgang 12.5 V / 5 A

Beschreibung

The RT8279 is a step-down regulator with an internal power MOSFET. It achieves 5A of continuous output current over a wide input supply range with excellent load and line regulation. Current mode operation provides fast transient response and eases loop stabilization.For protection, the RT8279 provides cycle-by-cycle current limiting and thermal shutdown protection. An adjustable soft-start reduces the stress on the input source at startup. In shutdown mode, the regulator draws only 25μA of supply current.The RT8279 requires a minimum number of readily available external components, providing a compact solution. The RT8279 is available in the SOP-8 (Exposed Pad) package.

Eigenschaften

  • 5A Output Current
  • Internal Soft-Start
  • 110mΩ Internal Power MOSFET Switch
  • Internal Compensation Minimizes External Parts Count
  • High Efficiency up to 90%
  • 25μA Shutdown Mode
  • Fixed 500kHz Frequency
  • Thermal Shutdown
  • Cycle-by-Cycle Over Current Protection
  • Wide 5.5V to 36V Operating Input Range
  • Adjustable Output Voltage from 1.222V to 26V
  • Available In an SOP8 (Exposed Pad) Package
  • RoHS Compliant and Halogen Free

Typische Anwendungen

  • Battery Charger
  • Pre-regulator for Linear Regulators
  • DSL Modems
  • Distributive Power Systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
IR(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Sättigungsstrom5.8 A
Gleichstromwiderstand22 mΩ
Eigenresonanzfrequenz23.5 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance 
Nennstrom5.2 A
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom2.3 A
Sättigungsstrom2.1 A
Gleichstromwiderstand131 mΩ
Eigenresonanzfrequenz41 MHz
Bauform4532 
Nennstrom1.54 A
Sättigungsstrom 12.1 A
Sättigungsstrom @ 30%2.4 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom3.55 A
Sättigungsstrom2.6 A
Gleichstromwiderstand49 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
Bauform7345 
VersionGestanzt 
Nennstrom2 A
Sättigungsstrom 12.6 A
Sättigungsstrom @ 30%3.2 A
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom1.8 A
Sättigungsstrom1.74 A
Gleichstromwiderstand182 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Bauform4532 
Nennstrom1.45 A
Sättigungsstrom 11.74 A
Sättigungsstrom @ 30%2 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Sättigungsstrom4.1 A
Gleichstromwiderstand43 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16.8 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance 
Nennstrom3.5 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom7 A
Sättigungsstrom4.5 A
Gleichstromwiderstand28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Nennstrom4.2 A
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%5.8 A
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 2.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom2.45 A
Sättigungsstrom1.7 A
Gleichstromwiderstand110 mΩ
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
Bauform7345 
VersionGestanzt 
Nennstrom1.41 A
Sättigungsstrom 11.7 A
Sättigungsstrom @ 30%2.1 A