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IC-Hersteller Renesas

IC-Hersteller (108)

ReferenzdesignISL81805EVAL2Z

Renesas ISL81805EVAL2Z

Dual-Output Sync Boost EVB - 9V to 36V Vin Range for 48V 3A Output, 9V to 20V Vin Range for 24V 5A Output

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung9-36 V
Ausgang 148 V / 3 A
Ausgang 224 V / 5 A
IC-Revision1.00

Beschreibung

The ISL81805EVAL2Z dual-output evaluation board (shown in Figure 4) features the ISL81805, an 80V high voltage dual synchronous boost controller thatoffers external soft-start, independent enablefunctions, and integrates UV/OV/OC/OT protection. A programmable switching frequency ranging from 100kHz to 1MHz helps to optimize inductor size whilethe strong gate driver delivers up to 3A for Channel 1 and 5A for Channel 2.

Eigenschaften

  • Wide input range: 9V to 36V for 48V output, 9V to 20V for 24V output
  • High light-load efficiency in pulse skipping DEM operation
  • Programmable soft-start
  • Optional DEM/PWM operation
  • Optional CC/HICCUP OCP protection
  • Supports pre-bias output with soft-start
  • PGOOD indicator
  • OVP, OTP, and UVP protection
  • External bias to improve efficiency
  • Optional input/output average OCP

Typische Anwendungen

  • Automotive electronics
  • Power systems
  • Telecommunications, Servers and data centers
  • Industrial equipment

Weiterführende Informationen

Von Renesas freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74439370068
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 25.3 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom25.3 A
Sättigungsstrom @ 30%40.05 A
Gleichstromwiderstand4.1 mΩ
Gleichstromwiderstand4.51 mΩ
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
74439370100
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 19.6 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom19.6 A
Sättigungsstrom @ 30%31.2 A
Gleichstromwiderstand6.4 mΩ
Gleichstromwiderstand7.04 mΩ
Eigenresonanzfrequenz9 MHz
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen