IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (103)

Onsemi RSL10 | Demoboard RSL10-COIN-GEVB

Ultra-low power temperature sensor beacon

Details

TopologieSonstige Topologie

Beschreibung

RSL10-COIN-GEVB is a coin cell operated ultra-low power Bluetooth beacon. The board incorporates a temperature sensor, NCT375, and RSL10, industry's lowest power Bluetooth 5 SoC. With the included CR2032 coin cell and an advertising packet being sent every 2 seconds, the device lasts over 6 years! The beacon follows Eddystone, an open beacon format from Google. A web URL and ambient temperature data embedded in the advertising packet can be read using Beacon Scanner or other freely available beacon scanning apps from the Android and iOS app stores.

Eigenschaften

  • Rx Sensitivity (Bluetooth Low Energy Mode, 1 Mbps): −94 dBm
  • Data Rate: 62.5 to 2000 kbps
  • Transmitting Power: −17 to +6 dBm
  • Peak Rx Current = 5.6 mA (1.25 V VBAT)
  • Peak Rx Current = 3.0 mA (3 V VBAT)
  • Peak Tx Current (0 dBm) = 8.9 mA (1.25 V VBAT)
  • Peak Tx Current (0 dBm) = 4.6 mA (3 V VBAT)
  • Bluetooth 5 Certified with LE 2M PHY Support
  • Arm Cortex−M3 Processor Clocked at up to 48 MHz
  • LPDSP32 for Audio Codec
  • Supply Voltage Range: 1.1 − 3.3 V
  • Current Consumption (1.25 V VBAT):
  • Deep Sleep, IO Wake−up: 50 nA
  • Deep Sleep, 8 kB RAM Retention: 300 nA
  • Audio Streaming at 7 kHz Audio BW: 1.8 mA RX, 1.8 mA TX
  • Current Consumption (3 V VBAT):
  • Deep Sleep, IO Wake−up: 25 nA
  • Deep Sleep, 8 kB RAM Retention: 100 nA
  • Audio Streaming at 7 kHz Audio BW: 0.9 mA RX, 0.9 mA TX
  • 384 kB of Flash Memory
  • Highly−integrated System−on−Chip (SoC)
  • Supports FOTA (Firmware Over−The−Air) Updates

Typische Anwendungen

  • IoT Edge-Node Applications / Bluetooth Low Energy Technology
  • Energy Harvesting
  • Wearables

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
Q(%)
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IR(A)
ISAT1(A)
ISAT2(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), 100 pF, ±5%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 pF
Kapazität±5% 
Nennspannung10 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Güte1000 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), 10 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung10 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC), 100 nF, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±20% 
Nennspannung6.3 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand1 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform201210 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe1 mm
Pad Dimension0.5 mm
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2 A
Sättigungsstrom 11.2 A
Sättigungsstrom 22.4 A
Gleichstromwiderstand190 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz