IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (103)

Onsemi NCV885301 | Demoboard NCV885301GEVB

Schematic for the NCV885301GEVB Evaluation Board

Details

TopologieAbwärtswandler

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
Montageart
IR(A)
ISAT(A)
Muster
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 1 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Sättigungsstrom 12.6 A
Sättigungsstrom @ 30%5.3 A
Gleichstromwiderstand75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
Performance Nennstrom3.55 A
MontageartSMT 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1500 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1500 µH
Gleichstromwiderstand2200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz0.9 MHz
MontageartSMT 
Nennstrom0.52 A
Sättigungsstrom0.8 A