| Topologie | Abwärtswandler |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | IRP,40K(A) | Montageart | IR(A) | ISAT(A) | Muster | |
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![]() | WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 1 µH, 2.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAIA SMT Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Sättigungsstrom 12.6 A | Sättigungsstrom @ 30%5.3 A | Gleichstromwiderstand75 mΩ | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | Performance Nennstrom3.55 A | MontageartSMT | – | – | ||||
![]() | WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1500 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage) | Induktivität1500 µH | – | – | Gleichstromwiderstand2200 mΩ | Eigenresonanzfrequenz0.9 MHz | – | MontageartSMT | Nennstrom0.52 A | Sättigungsstrom0.8 A |