IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (108)

Onsemi NCV885301 | Demoboard NCV885301GEVB

Schematic for the NCV885301GEVB Evaluation Board

Details

TopologieAbwärtswandler

Weiterführende Informationen

Von Onsemi freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
Montageart
IR(A)
ISAT(A)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-MAIA SMT Speicherdrossel, 1 µH, 2.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Sättigungsstrom 12.6 A
Sättigungsstrom @ 30%5.3 A
Gleichstromwiderstand75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
Performance Nennstrom3.55 A
MontageartSMT 
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1500 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1500 µH
–
–
Gleichstromwiderstand2200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz0.9 MHz
–
MontageartSMT 
Nennstrom0.52 A
Sättigungsstrom0.8 A
–Verfügbarkeit prüfen