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IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (105)

ReferenzdesignNCP81174

Onsemi NCP81174

Multi-Phase Synchronous Buck Controller with Power Saving Mode and PWM VID Interface

Details

TopologieSonstige Topologie
Schaltfrequenz200-1000 kHz
IC-Revision5

Beschreibung

The NCP81174 is a general−purpose up to four−phase synchronousbuck controller. It combines differential voltage sensing, differentialphase current sensing, and PWM VID interface to provide accurateregulated power for the computer or graphic controllers. It canreceive power saving command (PSI) from processors and operates insingle−phase diode emulation mode to obtain high efficiency in lightload. Dual−edge multiphase PWM modulation ensures a fast transientresponse with minimum possible capacitors.

Eigenschaften

  • Output Voltage up to 2.0 V with PWM VID Interface
  • Support 1.8 V and 3.3 V VID interface
  • Remote Differential Output Voltage Sense
  • Differential Current Sense For Each Phase
  • 200 kHz − 1000 kHz Switching Frequency
  • Power Saving Interface (PSI)
  • Power Good Output
  • Thermally Compensated Current Monitoring
  • Over Current Protection
  • Fast Transient Response
  • 5 V VCC Shunt Regulator
  • Latched OVP and UVP Protections
  • QFN−32, 5 x 5 mm, 0.5 mm Pitch Package
  • This is a Pb−Free Device

Typische Anwendungen

  • Graphics Card Applications
  • GPU and CPU Power
  • Desktop and Notebook Applications

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744314047
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.47 µH
–
–
Gleichstromwiderstand1.35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz235 MHz
Performance Nennstrom31.9 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
74404064010
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 5.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel
Induktivität1 µH
Nennstrom5.9 A
Sättigungsstrom11.5 A
Gleichstromwiderstand11 mΩ
Eigenresonanzfrequenz159 MHz
–
–
–
–
Verpackungseinheit1500 
–Verfügbarkeit prüfen