IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (103)

Onsemi NCP5181 | Demoboard 1kW motor control inverter

High Voltage High and Low Side Driver

Details

TopologieSperrwandler
Eingangsspannung85-145 V
Ausgang 10.41 A
IC-Revision8

Beschreibung

The NCP5181 is a High Voltage Power MOSFET Driver providingtwo outputs for direct drive of 2 N−channel power MOSFETs arrangedin a half−bridge (or any other high−side + low−side) configuration.It uses the bootstrap technique to insure a proper drive of theHigh−side power switch. The driver works with 2 independent inputsto accommodate any topology (including half−bridge, asymmetricalhalf−bridge, active clamp and full−bridge…).

Eigenschaften

  • High Voltage Range: up to 600 V
  • dV/dt Immunity ±50 V/nsec
  • Gate Drive Supply Range from 10 V to 20 V
  • High and Low DRV Outputs
  • Output Source / Sink Current Capability 1.4 A / 2.2 A
  • 3.3 V and 5 V Input Logic Compatible
  • Up to VCC Swing on Input Pins
  • Matched Propagation Delays between Both Channels
  • Outputs in Phase with the Inputs
  • Independent Logic Inputs to Accommodate All Topologies
  • Under VCC LockOut (UVLO) for Both Channels
  • Pin to Pin Compatible with IR2181(S)
  • These are Pb−Free Devices

Typische Anwendungen

  • Bridge Inverters for UPS Systems
  • High Power Energy Management
  • Half−bridge Power Converters
  • Any Complementary Drive Converters (asymmetrical half−bridge, active clamp)
  • Full−bridge Converters

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
VR(V (AC))
Sicherheitsklasse
dV/dt(V/µs)
DF @ 1 kHz(%)
RISO
Raster(mm)
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Verpackung
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(Ω)
fres(MHz)
Q(%)
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
DF(%)
Ø D(mm)
IRIPPLE 2(mA)
RESR(mΩ)
Muster
WCAP-FTXX Folienkondensatoren, Across the mains, 1 µF
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 µF
Nennspannung310 V (AC)
SicherheitsklasseX2 
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit170 V/µs
Verlustfaktor0.1 %
Isolationswiderstand10 GΩ
Raster22.5 mm
Länge26 mm
Breite11 mm
Höhe20 mm
VerpackungKarton 
WE-LQ SMT-Induktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge4.5 mm
Breite3.2 mm
Höhe2.6 mm
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.24 A
Sättigungsstrom2 A
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Güte36 %
WCAP-ATG5 Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, 180 µF
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität180 µF
Nennspannung400 V (AC)
Raster7.5 mm
Länge45 mm
VerpackungTray 
Endurance 2000
Rippelstrom700 mA
Leckstrom2160 µA
Verlustfaktor15 %
Durchmesser18 mm
WCAP-PTHT Aluminium-Polymer-Kondensatoren, –, 470 µF
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität470 µF
Nennspannung16 V (AC)
Raster5 mm
Länge12.5 mm
VerpackungAmmopack 
Endurance 2000
Rippelstrom6100 mA
Leckstrom752 µA
Verlustfaktor10 %
Durchmesser10 mm
Rippelstrom1929 mA
ESR (Serienersatzwiderstand)10 mΩ