IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (103)

Onsemi NCP3123

Dual 3.0 A, Step-Down DC/DC Switching Regulator

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-13.2 V
Schaltfrequenz200-2200 kHz
Ausgang 10.8 V / 3 A
IC-Revision2

Beschreibung

The NCP3123 is a dual buck converter designed for low voltage applications requiring high efficiency. This device is capable of producing an output voltage as low as 0.8 V. The NCP3123 provides dual 3.0 A switching regulators with an adjustable 200 kHz −2200 kHz switching frequency. The switching frequency is set by an external resistor. The NCP3123 also incorporates an auto−tracking and sequencing feature. Protection features include cycle−by−cycle current limit and undervoltage lockout (UVLO). The NCP3123 comes in a 32−pin QFN package

Eigenschaften

  • Input Voltage Range from 4.5 V to 13.2 V
  • 12 Vin to 5.0 Vout = 85% Efficiency Min @ 3.0 A
  • 200−2200 kHz Operation
  • Stable with Low ESR Ceramic Output Capacitor
  • 0.8 ±1.5% FB Reference Voltage
  • External Soft−Start
  • Out of Phase Operation of OUT1 & OUT2
  • Auto−Tracking and Sequencing
  • Enable/Disable Capability
  • Hiccup Overload Protection
  • Low Shutdown Power (Iq < 100 µA)

Note:Ref page 15 table 1 for different inductor values with respect to Iout,vin/vout.

Typische Anwendungen

  • Set−Top Boxes
  • Portable Applications
  • DSP/P/FPGA Core
  • Networking and Telecommunications

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
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Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(Ω)
fres(MHz)
Montageart
Muster
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 4 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Nennstrom4 A
Sättigungsstrom6 A
Gleichstromwiderstand0.032 Ω
Eigenresonanzfrequenz31 MHz
MontageartSMT 
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 3.8 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom3.8 A
Sättigungsstrom5.1 A
Gleichstromwiderstand0.034 Ω
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MontageartSMT 
WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.9 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom3.9 A
Sättigungsstrom8 A
Gleichstromwiderstand0.04 Ω
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.3 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom3.3 A
Sättigungsstrom5 A
Gleichstromwiderstand0.045 Ω
Eigenresonanzfrequenz23 MHz
MontageartSMT 
WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 3.5 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom3.5 A
Sättigungsstrom7 A
Gleichstromwiderstand0.048 Ω
Eigenresonanzfrequenz16.5 MHz
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 4 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom4 A
Sättigungsstrom8 A
Gleichstromwiderstand0.036 Ω
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
MontageartSMT 
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 3.5 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom3.5 A
Sättigungsstrom7 A
Gleichstromwiderstand0.047 Ω
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
MontageartSMT 
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 3 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand0.066 Ω
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
MontageartSMT