| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-13.2 V |
| Schaltfrequenz | 200-2200 kHz |
| Ausgang 1 | 0.8 V / 3 A |
| IC-Revision | 2 |
The NCP3122 is a dual buck converter designed for low voltage applications requiring high efficiency. This device is capable of producing an output voltage as low as 0.8 V. The NCP3122 provides dual 2.0 A switching regulators with an adjustable 200 kHz − 2200kHz switching frequency. The switching frequency is set by an external resistor. The NCP3122 also incorporates an auto−tracking and sequencing feature. Protection features include cycle−by−cycle current limit and undervoltage lockout (UVLO). The NCP3122 comes in a 32−pin QFN package.
Note:Ref page 15 table 1 for different inductor values with respect to Iout,vin/vout.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC max.(Ω) | fres(MHz) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.76 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD3 SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom2.76 A | Sättigungsstrom6 A | Gleichstromwiderstand0.045 Ω | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | – | |||
![]() | WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 3.8 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD3 SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom3.8 A | Sättigungsstrom6.8 A | Gleichstromwiderstand0.027 Ω | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | – | |||
![]() | WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 3 µH, 2.9 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD3 SMT-Speicherdrossel | Induktivität3 µH | Nennstrom2.9 A | Sättigungsstrom5.9 A | Gleichstromwiderstand0.03 Ω | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | – | |||
![]() | WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.2 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD3 SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom2.2 A | Sättigungsstrom5.4 A | Gleichstromwiderstand0.062 Ω | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | – | |||
![]() | WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.7 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD3 SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom2.7 A | Sättigungsstrom4.7 A | Gleichstromwiderstand0.04 Ω | Eigenresonanzfrequenz48 MHz | – | |||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 2.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Nennstrom2.4 A | Sättigungsstrom5 A | Gleichstromwiderstand0.082 Ω | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 7 µH, 2.2 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD3 SMT-Speicherdrossel | Induktivität7 µH | Nennstrom2.2 A | Sättigungsstrom4.1 A | Gleichstromwiderstand0.055 Ω | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | – | |||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom2.3 A | Sättigungsstrom2.95 A | Gleichstromwiderstand0.07 Ω | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 2.9 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD4 SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom2.9 A | Sättigungsstrom3.6 A | Gleichstromwiderstand0.06 Ω | Eigenresonanzfrequenz17 MHz | MontageartSMT | |||
![]() | WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 2.6 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD4 SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Nennstrom2.6 A | Sättigungsstrom3.1 A | Gleichstromwiderstand0.095 Ω | Eigenresonanzfrequenz14 MHz | MontageartSMT | |||
![]() | WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 3 A | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD4 SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Nennstrom3 A | Sättigungsstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand0.066 Ω | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | MontageartSMT |