IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (103)

Onsemi NCP3122

Dual 2.0 A, Step-Down DC/DC Switching Regulator

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-13.2 V
Schaltfrequenz200-2200 kHz
Ausgang 10.8 V / 3 A
IC-Revision2

Beschreibung

The NCP3122 is a dual buck converter designed for low voltage applications requiring high efficiency. This device is capable of producing an output voltage as low as 0.8 V. The NCP3122 provides dual 2.0 A switching regulators with an adjustable 200 kHz − 2200kHz switching frequency. The switching frequency is set by an external resistor. The NCP3122 also incorporates an auto−tracking and sequencing feature. Protection features include cycle−by−cycle current limit and undervoltage lockout (UVLO). The NCP3122 comes in a 32−pin QFN package.

Eigenschaften

  • Input Voltage Range from 4.5 V to 13.2 V
  • 12 Vin to 5.0 Vout = 87% Efficiency Min @ 2.0 A
  • 200−2200 kHz Operation
  • Stable with Low ESR Ceramic Output Capacitor
  • 0.8 ±1.5% FB Reference Voltage
  • External Soft−Start
  • Out of Phase Operation of OUT1 & OUT2
  • Auto−Tracking and Sequencing
  • Enable/Disable Capability
  • Hiccup Overload Protection
  • Low Shutdown Power (Iq < 100 µA)

Note:Ref page 15 table 1 for different inductor values with respect to Iout,vin/vout.

Typische Anwendungen

  • DSP/P/FPGA Core
  • Portable Applications,
  • Set−Top Boxes,
  • Networking and Telecommunications

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(Ω)
fres(MHz)
Montageart
Muster
WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.76 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.76 A
Sättigungsstrom6 A
Gleichstromwiderstand0.045 Ω
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 3.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom3.8 A
Sättigungsstrom6.8 A
Gleichstromwiderstand0.027 Ω
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 3 µH, 2.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3 µH
Nennstrom2.9 A
Sättigungsstrom5.9 A
Gleichstromwiderstand0.03 Ω
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom5.4 A
Gleichstromwiderstand0.062 Ω
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom2.7 A
Sättigungsstrom4.7 A
Gleichstromwiderstand0.04 Ω
Eigenresonanzfrequenz48 MHz
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom2.4 A
Sättigungsstrom5 A
Gleichstromwiderstand0.082 Ω
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MontageartSMT 
WE-PD3 SMT-Speicherdrossel, 7 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom4.1 A
Gleichstromwiderstand0.055 Ω
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom2.3 A
Sättigungsstrom2.95 A
Gleichstromwiderstand0.07 Ω
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MontageartSMT 
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 2.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom2.9 A
Sättigungsstrom3.6 A
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
MontageartSMT 
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom2.6 A
Sättigungsstrom3.1 A
Gleichstromwiderstand0.095 Ω
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
MontageartSMT 
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand0.066 Ω
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
MontageartSMT