IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (103)

Onsemi NCL31001 | Demoboard NCL31001

Multi-channel enabled Intelligent LED Driver, YellowDot™ Compliant, with Precision Dimming, Diagnostics and Power Metrology

Details

TopologieAbwärtswandler
IC-RevisionRev 1

Beschreibung

The NCL31001 is an intelligent LED driver, designed to be coupled with the NCL31000 in multi channel applications. Enabling dynamically tuneable luminaires such as dual channel human centric lighting, therapeutic lighting, agriculture, and other multiple color blending applications. The NCL31001 incorporates a high efficiency buck LED driver that supports both high-bandwidth analog and PWM dimming down to zero current. Diagnostics are included to measure input and output currents and voltages, and LED temperature.

Eigenschaften

  • High efficiency buck LED driver
  • Companionchip to NCL31000, enables multi channel operation
  • Integrated metrology, protections and diagnostics
  • High modulation bandwidth (~50kHz); VLC capable
  • I2C or SPI serial interface

Typische Anwendungen

  • LED Lighting, Backlight LED driver

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Sättigungsstrom1.8 A
Gleichstromwiderstand198 mΩ
Eigenresonanzfrequenz5.9 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 330 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 µH
Sättigungsstrom1 A
Gleichstromwiderstand750 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.15 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 390 µH, 0.61 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität390 µH
Performance Nennstrom0.61 A
Sättigungsstrom0.42 A
Gleichstromwiderstand2850 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.8 MHz
Bauform7345 
VersionGestanzt 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 µH
Sättigungsstrom0.82 A
Gleichstromwiderstand1100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz2.5 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance