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ReferenzdesignMC56F84XX | Demoboard TWR-SMPS-LVFB

NXP MC56F84XX | Demoboard TWR-SMPS-LVFB

TWR-SMPS-LVFB: Low-Voltage, Full-Bridge DC-DC Switch Mode Power Supply Tower® System Module

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision1

Beschreibung

The TWR-SMPS-LVFB Tower System Module is a development tool for Switch Mode Power Supplies. It is used in conjunction with the Tower System development platform, providing ready-made software and hardware development for low-voltage, full-bridge DC-DC switch mode power supply and using various control algorithms.As is standard with all Tower System modules, this peripheral module is interchangeable across the development platform and can be used with a variety of existing controller modules including: TWR-KV46F150M, TWR-KV31F120M, TWR-56F8400 and TWR-56F8200. Torque your designs and speed your time to market with this Tower System module.

Eigenschaften

20 – 30 VDC power supply voltage input

  • Output current up to 8 A
  • Power supply reverse polarity protection circuitry
  • Full-bridge topology
  • Synchronous rectification for secondary side
  • Primary side full-bridge current sensing
  • Input DC-bus voltage sensing
  • Output voltage sensing
  • Low-voltage on-board power supplies
  • Two user LEDs, power-on LED and six PWM LED diodes

Weiterführende Informationen

Von NXP freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74435571100
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 16.4 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom16.4 A
Gleichstromwiderstand7.45 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
Bauform1890 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 18.8 A
Sättigungsstrom @ 30%18.5 A
Gleichstromwiderstand6.9 mΩ
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit150 
–Verfügbarkeit prüfen
744778920
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.91 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität100 µH
Performance Nennstrom0.91 A
Gleichstromwiderstand790 mΩ
Eigenresonanzfrequenz9 MHz
Bauform7332 
VersionRobust 
Sättigungsstrom 10.76 A
Sättigungsstrom @ 30%0.95 A
–
–
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
750342182
SPECPower Transformer, –, –
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Downloads–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Power Transformer
–
–
–
–
–
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–
–
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen