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ReferenzdesignMC56F84XX | Demoboard TWR-SMPS-LVFB

NXP MC56F84XX | Demoboard TWR-SMPS-LVFB

TWR-SMPS-LVFB: Low-Voltage, Full-Bridge DC-DC Switch Mode Power Supply Tower® System Module

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision1

Beschreibung

The TWR-SMPS-LVFB Tower System Module is a development tool for Switch Mode Power Supplies. It is used in conjunction with the Tower System development platform, providing ready-made software and hardware development for low-voltage, full-bridge DC-DC switch mode power supply and using various control algorithms.As is standard with all Tower System modules, this peripheral module is interchangeable across the development platform and can be used with a variety of existing controller modules including: TWR-KV46F150M, TWR-KV31F120M, TWR-56F8400 and TWR-56F8200. Torque your designs and speed your time to market with this Tower System module.

Eigenschaften

20 – 30 VDC power supply voltage input

  • Output current up to 8 A
  • Power supply reverse polarity protection circuitry
  • Full-bridge topology
  • Synchronous rectification for secondary side
  • Primary side full-bridge current sensing
  • Input DC-bus voltage sensing
  • Output voltage sensing
  • Low-voltage on-board power supplies
  • Two user LEDs, power-on LED and six PWM LED diodes

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
74435571100
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 16.4 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

EDA-Modelle: Bauteile ZIP

CAD-Dateien ZIP

Elektrische Modelle ZIP

Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen
ZIP

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom16.4 A
Gleichstromwiderstand7.45 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
Bauform1890 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 18.8 A
Sättigungsstrom @ 30%18.5 A
Gleichstromwiderstand6.9 mΩ
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit150 
–Verfügbarkeit prüfen
744778920
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.91 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

EDA-Modelle: Bauteile ZIP

CAD-Dateien ZIP

Elektrische Modelle ZIP

Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen
ZIP

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität100 µH
Performance Nennstrom0.91 A
Gleichstromwiderstand790 mΩ
Eigenresonanzfrequenz9 MHz
Bauform7332 
VersionRobust 
Sättigungsstrom 10.76 A
Sättigungsstrom @ 30%0.95 A
–
–
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
750342182
SPECPower Transformer, –, –
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Downloads–
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Power Transformer
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen