IC-Hersteller Microchip

IC-Hersteller (103)

Microchip SAMA5DX | Demoboard MCP16501

Cost and Size Optimized PMIC for SAMA5DX/SAM9X6/SAMA7G Series MPUs

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung2.7-5.5 V
Schaltfrequenz1800-2200 kHz
Ausgang 11.2 V / 1 A
Ausgang 21.25 V / 1 A
Ausgang 33.3 V / 1 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The SAMA5 series are high-performance, ultra-low power ARM Cortex-A5 core based MPU devices. They support multiple memories, including DDR3, LPDDR3, and QSPI Flash. A rich set of peripherals, user interfaces, and robust security features simplify the design for control panels/HMI, secure IoT gateways, connectivity, barcode scanners, printers and POS terminal applications. The low-power features and small packages are ideal for wearables and other battery-operated consumer devices. A wide range of third-party offerings complements our development kits and software support.

Eigenschaften

  • Input Voltage: 2.7V to 5.5V
  • Three 1A Output Current Buck Channels with 100% Maximum Duty Cycle Capability
  • 2 MHz Buck Channels PWM Operation
  • ±1% Voltage Accuracy for DDR (Buck2 Output) and Core (Buck3 Output)
  • Low Noise, Forced PWM (FPWM) and Low IQ, Light Load, High-Efficiency Mode Available
  • One Auxiliary 300 mA Low-Dropout Linear Regulator (LDO)
  • Pin-Selectable Output Voltages for DDR Supply
  • Built-in Channel Sequencing, Safe Start-up and Reset Assertion Delay
  • Support of Hibernate and Low-Power modes
  • Leakage-Free Interfacing to MPU in any Operating Condition through Optimized ESD Protection
  • 250 μA Low-Power Mode Typical Quiescent Current (Bucks and LDO ON, No Load)
  • 10 μA Maximum Shutdown Current
  • Cost and Size-Optimized BOM
  • Thermal Shutdown and Current Limit Protection
  • 24-Pin 4 mm × 4 mm QFN Package
  • -40°C to +125°C Junction Temperature Range

Typische Anwendungen

  • μC/μP, FPGA and DSP power / high-performance MPUs power supply solutions

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
RDC max.(mΩ)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
VOP(V)
Montageart
Muster
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom1.8 A
Sättigungsstrom2.2 A
Gleichstromwiderstand65 mΩ
Eigenresonanzfrequenz104 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom1.8 A
Sättigungsstrom3.5 A
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
Gleichstromwiderstand110 mΩ
Performance Nennstrom2.85 A
Sättigungsstrom @ 30%4.75 A
Gleichstromwiderstand92 mΩ
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom1.6 A
Sättigungsstrom2.9 A
Eigenresonanzfrequenz57 MHz
Gleichstromwiderstand141 mΩ
Performance Nennstrom2.45 A
Sättigungsstrom @ 30%3.65 A
Gleichstromwiderstand123 mΩ
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom1.6 A
Sättigungsstrom3 A
Eigenresonanzfrequenz46 MHz
Gleichstromwiderstand120 mΩ
Gleichstromwiderstand100 mΩ
MontageartSMT