| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.7-5.5 V |
| Schaltfrequenz | 1800-2200 kHz |
| Ausgang 1 | 1.25 V / 1 A |
| Ausgang 2 | 1.2 V / 1 A |
| Ausgang 3 | 3.3 V / 1 A |
| IC-Revision | A |
The SAM9X60 is a high-performance, ultra-low-power ARM926EJ-S CPU-based embedded microprocessor (MPU) running up to 600 MHz. The SAM9X60 supports various memory interfaces, including 16-bit LPDDR/DDR2, 32-bit LPSDR/SDRAM, NAND Flash, Quad SPI and eMMC Flash. The device integrates powerful peripherals for connectivity and user interface applications. It offers State-of-the-Art security functions such as Secure Boot capability with on-chip secure key storage (OTP), high-performance crypto accelerators (SHA, AES and TDES) as well as tamper pins.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | RDC max.(mΩ) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | VOP(V) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom2.2 A | Gleichstromwiderstand65 mΩ | Eigenresonanzfrequenz104 MHz | – | – | – | – | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom3.5 A | – | Eigenresonanzfrequenz65 MHz | Gleichstromwiderstand110 mΩ | Performance Nennstrom2.85 A | Sättigungsstrom @ 30%4.75 A | Gleichstromwiderstand92 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom1.6 A | Sättigungsstrom2.9 A | – | Eigenresonanzfrequenz57 MHz | Gleichstromwiderstand141 mΩ | Performance Nennstrom2.45 A | Sättigungsstrom @ 30%3.65 A | Gleichstromwiderstand123 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 1.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2.2 µH | Nennstrom1.6 A | Sättigungsstrom3 A | – | Eigenresonanzfrequenz46 MHz | Gleichstromwiderstand120 mΩ | – | – | Gleichstromwiderstand100 mΩ | – | MontageartSMT |