| Topologie | Abwärtswandler |
| IC-Revision | 1.0 |
Remarks:Only BOM Is Available.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | fres(MHz) | Montageart | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.2 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.2 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz34 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom19.1 A | Sättigungsstrom 16 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand5.3 mΩ | MaterialWE-PERM | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.51 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Nennstrom0.51 A | Sättigungsstrom0.36 A | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | MontageartSMT | – | – | – | – | – |