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IC-Hersteller Microchip

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ReferenzdesignMCP1665 | Demoboard ADM00865

Microchip MCP1665 | Demoboard ADM00865

High-voltage 3.6 A Integrated Switch PFW/PWM Boost Regulator

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung3.6-4.2 V
Schaltfrequenz425-575 kHz
Ausgang 112 V / 1 A
IC-Revision1

Beschreibung

The MCP1665 device is a compact, high-efficiency, fixed-frequency, non-synchronous step-up DC-DC converter that integrates a 36V, 100 mΩ NMOS switch. It provides a space-efficient high-voltage step-up power supply solution for applications powered by either three-cell alkaline, Ultimate Lithium, NiCd, NiMH, one-cell Li-Ion or Li-Polymer batteries. The integrated switch is protected by the typical 3.6A cycle-by-cycle inductor peak current limit operation. There is an output overvoltage protection and an open-load protection that turn off switching if the feedback resistors are accidentally disconnected, the feedback pin is short-circuited to GND or the output is exposed to excessive voltage. Pulse-Frequency Modulation (PFM) switching mode used for power saving is implemented, and it is selectable by the dedicated MODE pin.

Eigenschaften

  • 36V, 100 mΩ Integrated Switch
  • Up to 92% Efficiency
  • Higher Current Compared to the Previous MCP166x Switchers Family
  • Output Voltage Range: Up to 32V
  • 3.6A Typical Peak Input Current Limit:
  • IOUT > 1 A at 5.0V VIN, 12V VOUT
  • IOUT > 700 mA at 3.3V VIN, 12V VOUT
  • IOUT > 400 mA at 4.2V VIN, 24V VOUT
  • Input Voltage Range: 2.9V to 5V
  • Input Undervoltage Lockout (UVLO):
  • UVLO at VIN Rising: 2.9V, typical
  • UVLO at VIN Falling: 2.7V, typical
  • No Load Input Current: 250 μA Typically for PFM, 500 μA Typically for PWM
  • Shutdown Mode with 0.4 μA Typical Quiescent Current
  • Automatically PFM/PWM or Selected by the MODE Pin, for High Efficiency
  • 500 kHz PWM Operation with Skipping Mode Operation Selectable by Dedicated MODE Pin
  • Feedback Voltage Reference: VFB = 1.2V
  • Cycle-by-Cycle Current Limiting
  • Internal Compensation
  • Inrush Current Limiting and Internal Soft Start
  • Output Overvoltage Protection (OVP) and Open-Load Protection (OLP) for Constant Current Configuration
  • Thermal Shutdown
  • Easily Configurable for SEPIC, Cuk or Flyback Topologies
  • Available Package: 10-Lead 2x2 mm VQFN

Typische Anwendungen

  • Single-cell Li-on to 5V, 12V or 24V converters / LCD bias supply for portable applications / Battery-powered LEDs
  • Three-cell Alkaline, lithium and NiMH/NiCd protable products
  • Camera phone flash / Flashlight / Lighting applications

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Material
LR(µH)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744778004
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.65 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads10 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom3.65 A
Sättigungsstrom4.2 A
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Bauform7332 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 14.2 A
Sättigungsstrom @ 30%5.3 A
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
7447714047
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität4.7 µH
–
Sättigungsstrom8 A
Gleichstromwiderstand12.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz34 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance 
–
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443340470
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 8.9 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom8.9 A
–
Gleichstromwiderstand13.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Bauform8070 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 17.7 A
Sättigungsstrom @ 30%9.5 A
MaterialFerrite 
Nenninduktivität3.5 µH
–Verfügbarkeit prüfen