| Topologie | Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 3.6-4.2 V |
| Schaltfrequenz | 425-575 kHz |
| Ausgang 1 | 12 V / 1 A |
| IC-Revision | 1 |
The MCP1665 device is a compact, high-efficiency, fixed-frequency, non-synchronous step-up DC-DC converter that integrates a 36V, 100 mΩ NMOS switch. It provides a space-efficient high-voltage step-up power supply solution for applications powered by either three-cell alkaline, Ultimate Lithium, NiCd, NiMH, one-cell Li-Ion or Li-Polymer batteries. The integrated switch is protected by the typical 3.6A cycle-by-cycle inductor peak current limit operation. There is an output overvoltage protection and an open-load protection that turn off switching if the feedback resistors are accidentally disconnected, the feedback pin is short-circuited to GND or the output is exposed to excessive voltage. Pulse-Frequency Modulation (PFM) switching mode used for power saving is implemented, and it is selectable by the dedicated MODE pin.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | Material | LR(µH) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.65 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom3.65 A | Sättigungsstrom4.2 A | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | Bauform7332 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 14.2 A | Sättigungsstrom @ 30%5.3 A | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | – | Sättigungsstrom8 A | Gleichstromwiderstand12.4 mΩ | Eigenresonanzfrequenz34 MHz | Bauform1050 | VersionPerformance | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 8.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom8.9 A | – | Gleichstromwiderstand13.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | Bauform8070 | VersionSMT | Sättigungsstrom 17.7 A | Sättigungsstrom @ 30%9.5 A | MaterialFerrite | Nenninduktivität3.5 µH |