| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-25 V |
| Ausgang 1 | 2.5 V |
| Ausgang 2 | 3.3 V |
| IC-Revision | 1.0.0 |
The XRP7714EVB-DEMO-3 demo board is acomplete, four channel, power systemmeasuring 2” by 2.5” capable of producingover 35 watts. It is optimized to provide 3.3V,2.5V 1.8V and 1V at a maximum of 4 ampsper channel. The 2.5V, 1.8V and 1V suppliescan be adjusted in 50mV increments, and the3.3V supply is adjustable in 100mVincrements. The order and ramp rates for eachsupply can be programmed to accommodateany sequencing requirement. All power supplyoperations can be controlled over an I2Cinterface. Faults, output voltages and currentscan also be monitored. Four GPIO signals areavailable and can be programmed to providestatus of power good signals enables andfaults. Unused GPIO pins can be programmedas I/O expansion for a microcontroller. Theboard is supported by PowerArchitectTM andplugs directly onto the Exar CommunicationsModule (XRP77XXEVB-XCM).
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Pins | Typ | Montageart | L(mm) | H(mm) | IR(A) | Arbeitsspannung(V (AC)) | Betriebstemperatur | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 8.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Performance Nennstrom8.7 A | Sättigungsstrom 13 A | Sättigungsstrom @ 30%9 A | Gleichstromwiderstand14.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz58 MHz | MaterialSuperflux | Pins2 | – | MontageartSMT | Länge7 mm | Höhe3 mm | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 8.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom8.1 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%11 A | Gleichstromwiderstand17.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz43 MHz | MaterialSuperflux | Pins2 | – | MontageartSMT | Länge7 mm | Höhe3.8 mm | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, 8.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.9 µH | Performance Nennstrom8.3 A | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%6.5 A | Gleichstromwiderstand14.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz56 MHz | MaterialSuperflux | Pins2 | – | MontageartSMT | Länge7 mm | Höhe4.8 mm | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C | ||||
![]() | WR-PHD Buchsenleisten - Zweireihig, –, – | Simulation– | Downloads7 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Buchsenleisten - Zweireihig | – | – | – | – | – | – | – | Pins10 | TypGerade | MontageartTHT | Länge13.2 mm | – | Nennstrom3 A | Arbeitsspannung250 V (AC) | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | ||
![]() | WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig | – | – | – | – | – | – | – | Pins40 | TypGerade | MontageartTHT | Länge101.6 mm | – | Nennstrom3 A | Arbeitsspannung250 V (AC) | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C |