IC-Hersteller M3 Technology (M3Tek)

IC-Hersteller (103)

M3 Technology (M3Tek) MT3998M | Demoboard MT3998M Demo

28V 8A Fast-PWM Synchronous Step-Down Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung3-28 V
Schaltfrequenz200-1200 kHz
Ausgang 18 A
IC-Revision0.3

Beschreibung

The MT3998 is a fully integrated high efficiency synchronous step-down converter which requires a minimum number of external components. It offers a very compact solution with 8A continuous output current over a wide input range. The MT3998 employs proprietary Constant On-Time (COT) control scheme providing superior transient response and maintaining constant switching frequency in the continuous conduction mode operation. The external ramp compensation network allows stable operation with ultra-low equivalent series resistance (ESR) output ceramic capacitors. An error amplifier in the control loop provides excellent line and load regulation.

Eigenschaften

  • Input Voltage Range from 3V to 28V.
  • ±1% 0.6V Feedback Voltage Accuracy
  • 8A continuous output current
  • Support 100% duty cycle Low Dropout Operation
  • Stable operation with output low ESR ceramic capacitors
  • Fast PWM COT control with superior transient performance
  • External Programmable and Synchronizable Switching frequency: 200KHz to 1.2MHz
  • Selectable Ultrasonic (UA) Mode or Pulse-Skip Mode (PSM) for High Light Load Efficiency
  • Integrate 20mΩ/10mΩ HS/LS Power Switches for QFN 3mmx3mm_16L Integrate 28mΩ/17mΩ HS/LS Power Switches for QFN 4mmx4mm_20L
  • Accurate 1.26V EN threshold with 280mV Hysteresis
  • 130µA Low Quiescent Current in PSM mode
  • Internal fixed or External programmable Soft-start Time
  • Output Discharging Function in Shutdown
  • Thermal Shutdown
  • Hiccup Mode Short Circuit Protection
  • Small 4mmx4mm 20 lead QFN / 3mmx3mm 16 lead QFN packages

Typische Anwendungen

  • Industrial PC,
  • Distributed Power Systems
  • Flat Panel Television and Monitors
  • Networking Systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.33 µH, 30.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Performance Nennstrom30.9 A
Sättigungsstrom 115 A
Sättigungsstrom @ 30%36 A
Gleichstromwiderstand2.17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz119 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit800 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 19.4 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom19.4 A
Sättigungsstrom 110 A
Sättigungsstrom @ 30%21 A
Gleichstromwiderstand4.79 mΩ
Eigenresonanzfrequenz69 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit800 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 18 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom18 A
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%17 A
Gleichstromwiderstand5.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz63 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit800 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, 18.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.4 µH
Performance Nennstrom18.6 A
Sättigungsstrom 16.9 A
Sättigungsstrom @ 30%17 A
Gleichstromwiderstand4.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit700 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 16.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom16.6 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand5.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit700 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 14.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom14.9 A
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6 µH, 13.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6 µH
Performance Nennstrom13.6 A
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand8.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
Verfügbarkeit prüfen