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IC-Hersteller Infineon Technologies

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ReferenzdesignIR3889M | Demoboard EVAL_3889

Infineon Technologies IR3889M | Demoboard EVAL_3889

User guide for IR3889 evaluation board

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung12 V
Schaltfrequenz600-800 kHz
Ausgang 13.3 V / 30 A
IC-Revision2.0

Eigenschaften

  • Vin = +12 V
  • Vout = +3.3 V @ 0- 30 A
  • Fs=600 kHz/800 kHz
  • L= 470 nH (12.5 mm x 13 mm x 9 mm, DCR=0.165 mΩ)
  • Cin= 10 x 22 µF (25 V, ceramic 0805) + 1 x 330 µF (25 V, electrolytic, optional)
  • Cout=10 x 47 µF (6.3 V, ceramic 0805)

Typische Anwendungen

  • Telecom and Datacom Applications, Server Applications, Storage Applications
  • Distributed Point of Load Power Architectures

Weiterführende Informationen

Von Infineon Technologies freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(nH)
LR(nH)
IR(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744309047
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, 200 nH

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität470 nH
Nenninduktivität200 nH
Nennstrom47.5 A
Sättigungsstrom 135.1 A
Sättigungsstrom @ 30%46.8 A
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
MaterialMnZn 
–Verfügbarkeit prüfen