IC-Hersteller Infineon Technologies

IC-Hersteller (103)

Infineon Technologies IR2085S | Demoboard EVAL-FFXMR20W2M1HX

Double pulse testing evaluation board for CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung24 V
Ausgang 140 V
Ausgang 20.3 V
IC-Revision1.0

Beschreibung

The purpose of this board is to enable the evaluation of the FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ MOSFET module in combination with 1ED3890MC12M gate driver. The evaluation board allows users to evaluate the device performance via double-pulse measurements.

Eigenschaften

Half-bridge driver for Easy 2B moduleCoolSiC™ Trench MOSFET 2 kV technology1ED3890MC12M or 1ED3890MU12M driverI2C bus for parameter adjustmentTwo variants for current measurement

Typische Anwendungen

  • EV charging
  • Photovoltaic
  • Energy Storage

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
Bauform
Betriebstemperatur
Q(%)
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
Pins
Typ
Montageart
Arbeitsspannung(V (AC))
Wicklungstyp
Wicklungsanzahl
L(µH)
Zmax(Ω)
IR(mA)
RDC max.(Ω)
VR(V (DC))
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 100 pF, ±5%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 pF
Kapazität±5% 
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Güte1000 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung50 V (DC)
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 100 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Bauform0805 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung50 V (DC)
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 10 µF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 µF
Kapazität±10% 
Bauform1206 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.01 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite1.6 mm
Höhe1.6 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung25 V (DC)
WE-SL2 Stromkompensierter SMT Line Filter, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge9.2 mm
Breite6 mm
Höhe5 mm
Pins
MontageartSMT 
Wicklungstypbifilar 
Wicklungsanzahl
Induktivität51 µH
Maximale Impedanz5500 Ω
Nennstrom1000 mA
Gleichstromwiderstand0.16 Ω
Nennspannung80 V (DC)
WR-PHD Stiftleisten - Zweireihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Isolationswiderstand1000 MΩ
Länge5.08 mm
VerpackungBeutel 
Pins
TypGerade 
MontageartTHT 
Arbeitsspannung250 V (AC)
Nennstrom3000 mA
WR-PHD Stiftleisten - Zweireihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Isolationswiderstand1000 MΩ
Länge12.7 mm
VerpackungBeutel 
Pins10 
TypGerade 
MontageartTHT 
Arbeitsspannung250 V (AC)
Nennstrom3000 mA
750317493
WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer, –, –
Simu­lation
Downloads
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer