IC-Hersteller Infineon Technologies

IC-Hersteller (103)

Infineon Technologies IMZA65R048M1H | Demoboard EVAL_3KW_50V_PSU

Server and data center 3 kW 50 V PSU

Details

TopologieLeistungsfaktor-Korrektur
Eingangsspannung180-275 V
Ausgang 150 V
IC-Revision1.0

Beschreibung

This evaluation board introduces a complete Infineon’s system solution for a 3 kW power supply unit (PSU) targeting the newly released OCP V3 rectifier specifications for servers and data centers.The PSU comprises a front-end AC-DC bridgeless totem pole converter followed by a back-end DC-DC isolated half-bridge LLC converter. The front-end totem pole converter provides power factor correction (PFC) and total harmonic distortion (THD). The LLC converter provides safety isolation and a tightly regulated output voltage.The measured peak efficiency of the complete PSU at 230 VAC is 97.5%, not including the internal fan, and 97.4%, including the internal fan. The overall outer dimensions of the PSU are 73.5 mm x 520 mm x 40 mm, which yields a power density in the range of 32 W/inch³ (1.95 W/cm³).

Eigenschaften

  • Low capacitances
  • Optimized switching behavior at higher currents
  • Commutation robust fast body diode with low reverse recovery charge (Qrr)
  • Superior gate oxide reliability
  • Excellent thermal behavior
  • Increased avalanche capability
  • Works with standard drivers
  • 4-pin package

Typische Anwendungen

  • SMPS, UPS, Motor drives
  • Server, Telecom
  • Solar energy systems, Energy storage and battery formation,EV charging

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
VR(V (DC))
dV/dt(V/µs)
DF @ 1 kHz(%)
RISO
Raster(mm)
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Verpackung
L(µH)
IR(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
Muster
WCAP-FTBP Folienkondensatoren, 3.3 µF, 160 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität3.3 µF
Nennspannung160 V (DC)
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit57 V/µs
Verlustfaktor0.1 %
Isolationswiderstand3.03 GΩ
Raster22.5 mm
Länge26 mm
Breite9 mm
Höhe18 mm
VerpackungLose 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Nennstrom2000 mA
Impedanz @ 100 MHz60 Ω
Maximale Impedanz110 Ω
Maximale Impedanz600 MHz 
Nennstrom 23000 mA
Gleichstromwiderstand0.04 Ω
TypHochstrom 
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge4 mm
Breite4 mm
Höhe1.8 mm
Induktivität47 µH
Nennstrom600 mA
Sättigungsstrom0.7 A
Gleichstromwiderstand620 mΩ
Eigenresonanzfrequenz11 MHz