| Topologie | LLC Resonanzwandler |
| Eingangsspannung | 350-410 V |
| Schaltfrequenz | 4000 kHz |
| Ausgang 1 | 58 V / 55 A |
| IC-Revision | 1.0 |
Full Infineon solution for the high voltage DC-DC stage of a 3kW telecom/industrial SMPS with 600V CoolMOS™ P7 power MOSFET.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(nH) | LR(nH) | IR(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, 200 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität470 nH | Nenninduktivität200 nH | Nennstrom47.5 A | Sättigungsstrom 135.1 A | Sättigungsstrom @ 30%46.8 A | Gleichstromwiderstand0.165 mΩ | Eigenresonanzfrequenz22 MHz | MaterialMnZn |