IC-Hersteller Infineon Technologies

IC-Hersteller (103)

Infineon Technologies 2ED2184 | Demoboard EVAL-2ED2184

650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode

Details

TopologieMotor Drive
Eingangsspannung25 V
IC-Revision01

Beschreibung

The EVAL-2ED2184 comes with the gate driver IC, 2ED2184S06F and two MOSFETs, IPD60R280P7, in half bridge configuration. This board is designed to test basic functionalities and highlight features of the Infineon silicon-on-insulator (SOI) gate driver. The user can test PWM input-output performance, check propagation delay, current capability, and high switching frequency performance. The board can be used to do a double pulse test.

Eigenschaften

  • Unique Infineon Thin-Film-Silicon on Insulator (SOI)-Technology VS_OFFSET = 650 V max
  • Negative VS transient immunity of 100 V
  • Floating channel designed for bootstrap operation VCC = 10 V to 20 V
  • Operating voltages (VS node) upto + 650 V Delay Matching 35 ns max.
  • Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 675 V Propogation Delay = 200 ns
  • Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode tON / tOFF (typ.) = 600 ns/ 200 ns
  • Logic Operational up to –11 V on VS Pin
  • Negative Voltage Tolerance on Inputs of –5 V
  • Independent under voltage lockout for both channels
  • Schmitt trigger inputs with hysteresis
  • 3.3 V, 5 V and 15 V input logic compatible
  • Maximum supply voltage of 25 V
  • Dual package options of DSO-8 and DSO-14
  • High and Low Voltage Pins Separated for Maximum Creepage and Clearance (2ED21844S06J version)
  • Separate logic and power ground with the 2ED21844S06J version
  • Shutdown input turns off both channels
  • Interlocking function with internal 400 ns dead time and programmable up to 5 us with external resistor (2ED21844S06J only)
  • RoHS compliant

Typische Anwendungen

  • Home appliances
  • Motor control, Power conversion

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
Pins
PCB/Kabel/Panel
Modularity
Typ
Wire Section
C
VR(V (DC))
VR 2(V (DC))
dV/dt(V/µs)
DF @ 1 kHz(%)
RISO
Raster(mm)
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Verpackung
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
DF(%)
Ø D(mm)
Montageart
G(mm)
IR(A)
Arbeitsspannung(V (AC))
Betriebstemperatur
Muster
WR-TBL Serie 2509 - 9.52 mm Horizontal Entry Modular w. Rising Cage Clamp, 3, Käfigzugklemme
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
PCB/Kabel/PanelPCB 
ModularityJa 
TypHorizontal 
Wire Section 10 to 30 (AWG) 5.26 to 0.0509 (mm²)
Raster9.52 mm
Länge28.56 mm
VerpackungKarton 
MontageartTHT 
Nennstrom32 A
Arbeitsspannung750 V (AC)
Betriebstemperatur -30 °C up to +120 °C
WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, 7, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
TypGerade 
Isolationswiderstand1000 MΩ
Raster2.54 mm
Länge17.78 mm
VerpackungBeutel 
MontageartTHT 
Nennstrom3 A
Arbeitsspannung250 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
WCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität22 µF
Nennspannung25 V (DC)
Raster2 mm
Länge11 mm
VerpackungAmmopack 
Endurance 5000
Rippelstrom100 mA
Leckstrom5.5 µA
Verlustfaktor14 %
Durchmesser5 mm
WCAP-FTBE Folienkondensatoren, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Nennspannung630 V (DC)
Nennspannung 2504 V (DC)
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit28 V/µs
Verlustfaktor1 %
Isolationswiderstand9 GΩ
Raster15 mm
Länge18 mm
Breite6 mm
Höhe12 mm
VerpackungKarton 
Pin Länge4 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
WCAP-AT1H Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität33 µF
Nennspannung450 V (DC)
Raster7.5 mm
Länge21 mm
VerpackungAmmopack 
Endurance 10000
Rippelstrom883 mA
Leckstrom694 µA
Verlustfaktor20 %
Durchmesser18 mm