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EPC dsPIC33CK32MP102 | Demoboard EPC9153
44–60 V Input, 12-20 V, 12.5 A Output up to 250 W High Efficiency, Thin Power Module
Details
| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 44-60 V |
| Ausgang 1 | 20 V / 12.5 A |
| IC-Revision | 1.0 |
Beschreibung
EPC9153: 44–60 V Input, 12-20 V, 12.5 A Output up to 250 W High Efficiency, Thin Power Module for high performance computing systems.The EPC9153 demonstration board is a 60 V maximum input voltage, 12.5 A maximum output current, 12 - 20 V output voltage, thin synchronous buck converter.The EPC9153 features a GaN power stage using the EPC2218 and EPC2038 eGaN® FETs. The uP1966E gate driver that features high driving strength is used to drive the FETs. The synchronous bootstrap circuit ensures 4.9 V gate voltage is used for the high-side gate drive. Digital control that allows sub-10 ns dead-time and flexibility in control scheme development is employed. In order to optimize the efficiency, two small on-board switch-mode power supply circuits are used to generate the housekeeping 5 V and 3.1 V voltages for the gate driver and the digital controller respectively.
Eigenschaften
- 44 – 60 VIN to 12 – 20 VOUT
- Constant switching frequency = 400 kHz
- Max component height = 6.5 mm
- Temperature rise: < 40 °C @ 20 V with 12.5 A output
- High efficiency = 98.2% @ 20 V/12.5 A output
Typische Anwendungen
- High Performance Computing – computers, displays, thin consumer electronics
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Tol. C | VR(V (DC)) | Bauform | Betriebstemperatur | DF(%) | RISO | Keramiktyp | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Fl(mm) | Verpackung | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Ti | Ø OD(mm) | Ø ID(mm) | VPE | ISAT,30%(A) | Kernmaterial | Pins | Typ | Montageart | Arbeitsspannung(V (AC)) | MusterVerfügbarkeit & Muster | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPECWCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 1 µF, ±10% | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC) | Kapazität1 µF | Kapazität±10% | Nennspannung25 V (DC) | Bauform0603 | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | Verlustfaktor10 % | Isolationswiderstand0.5 GΩ | KeramiktypX7R Klasse II | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Pad Dimension0.4 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | Verpackungseinheit4000 | – | – | – | – | – | – | –Verfügbarkeit prüfen | ||||
 | SPECWR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, – | Simulation– | Verfügbarkeit – | Downloads7 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | Isolationswiderstand1000 MΩ | – | Länge12.7 mm | – | – | – | VerpackungBeutel | – | Nennstrom3 A | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Pins5 | TypAbgewinkelt | MontageartTHT | Arbeitsspannung250 V (AC) | –Verfügbarkeit prüfen | |
 | SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, – | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | – | – | – | Bauform4018 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | Länge4 mm | Breite4 mm | Höhe1.8 mm | – | – | Induktivität68 µH | Nennstrom0.54 A | Sättigungsstrom0.63 A | Gleichstromwiderstand840 mΩ | Eigenresonanzfrequenz9 MHz | – | – | – | Verpackungseinheit3000 | – | – | – | – | MontageartSMT | – | –Verfügbarkeit prüfen | |||
 | SPECWA-SMSI SMT Stahl Spacer mit Innengewinde M2, –, – | Simulation– | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWA-SMSI SMT Stahl Spacer mit Innengewinde M2 | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +150 °C | – | – | – | Länge1 mm | – | – | – | VerpackungTape and Reel | – | – | – | – | – | InnengewindeM2 | Außendurchmesser4.35 mm | Innendurchmesser2.8 mm | Verpackungseinheit1500 | – | – | – | – | – | – | –Verfügbarkeit prüfen | ||
 | SPECWE-HCFT THT-Hochstrominduktivität, –, – | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCFT THT-Hochstrominduktivität | – | – | – | Bauform2504 | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | Länge22 mm | Breite25.7 mm | Höhe4.1 mm | – | – | Induktivität4.7 µH | Nennstrom24 A | Sättigungsstrom14 A | Gleichstromwiderstand2.77 mΩ | Eigenresonanzfrequenz14.5 MHz | – | – | – | – | Sättigungsstrom @ 30%14 A | KernmaterialMnZn | – | – | MontageartTHT | – | –Verfügbarkeit prüfen |
Verfügbarkeitsprognose
WE Artikelnummer VerpackungseinheitenWiederbeschaffungszeit
––– Wochen
| Erwartete Verfügbarkeit | Eingehender Bestand | Menge |
|---|---|---|
| Aktuelle Verfügbarkeit | – | – |
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