IC-Hersteller EPC

IC-Hersteller (104)

EPC EPC2023 | Demoboard LMG5200POLEVM-10A

General TI High Voltage Evaluation User Safety Guidelines

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung10-60 V
Ausgang 15 V / 10 A
IC-RevisionD

Beschreibung

The LMG5200POLEVM-10 EVM is designed to evaluate the LMG5200 GaN power stage and the TPS53632G half-bridge point-of-load controller in a 48-V to 1-V applicationThis EVM implements the 48- V to 1-V converter as a single-stage hard-switched half-bridge with current-doubler rectifierThis topology efficiently supports a high step-down ratio while providing significant output current and fast transient responseThe TPS53632G controller uses a D-CAP+ hysteretic control architecture to achieve superior transient responseThe TPS53632G is a variant of the TPS53632 controller, modified to support the half-bridge topology used in this EVMThe LMG5200 is an 80-V, 10-A half-bridge power stage using gallium-nitride (GaN) transistorsGaN offers superior switching performance to traditional silicon MOSFETs due to its lack of reverse-recovery effect and reduced input and output capacitanceBy using a GaN module, this application achieves high efficiency while operating in a hard-switched configurationThis EVM guide describes correct operation and measurement of the EVM, as well as the EVM construction and typical performance

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Emittierte Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
L(nH)
LR(nH)
IR(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 525 nm, Grün
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]525 nm
Emittierte FarbeGrün 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]515 nm
Lichtstärke [typ.]430 mcd
Durchlassspannung [typ.]3.2 V
ChiptechnologieInGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
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SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität250 nH
Nenninduktivität246 nH
Nennstrom25 A
Sättigungsstrom 141.6 A
Sättigungsstrom @ 30%46.5 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MaterialMnZn 
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