Einnosemi ES5325 | Demoboard ES5325 | IC-Referenzdesignsuche von Würth Elektronik

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	Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	Produktserie	L(µH)	I_RP,40K(A)	I_SAT,10%(A)	I_SAT,30%(A)	R_DC(mΩ)	f_res(MHz)	Material	VPE	MusterVerfügbarkeit & Muster

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	744355147	SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 54.9 A Anstehende PCN Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. SPEC Datenblatt PCN PCN Dokument	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien ALT WE-HCI (rev25a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-HCI (rev25a).zip \| 11.8 MB EAG Eagle_WE-HCI (rev25a).lbr \| 140.6 KB KIC KiCad_WE-HCI (rev26b).zip \| 1.1 MB ZUK Download_CadStar_WE-HCI (rev19a).zip \| 15.7 KB IGS WE-HCI_1365_7443551 (rev1).igs \| 1.7 MB STP WE-HCI_1365_7443551 (rev1).stp \| 514.9 KB PSP PSpice_WE-HCI (rev22a).zip \| 22.1 KB SCS Spectre_WE-HCI (rev24a).mod \| 26.8 KB	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität	Induktivität0.47 µH	Performance Nennstrom54.9 A	Sättigungsstrom 125 A	Sättigungsstrom @ 30%50 A	Gleichstromwiderstand0.67 mΩ	Eigenresonanzfrequenz100 MHz	MaterialWE-PERM	Verpackungseinheit400	–Verfügbarkeit prüfen

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