| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 3.8-32 V |
| Ausgang 1 | 12 V / 3.5 A |
| IC-Revision | 1.1 |
The AP63356Q/AP63357Q is a 3.5A, synchronous buck converter with a wide input voltage range of 3.8V to 32V and fully integrates an 74mΩ high side power MOSFET and a 40mΩ low-side power MOSFET to provide high-efficiency step-down DC/DC conversion. The AP63356Q/AP63357Q device is easily used by minimizing the external component count due to its adoption of peak current mode control along with the integrated compensation network.The AP63356Q/AP63357Q has optimized design for Electromagnetic Interference (EMI) reduction. The converter features Frequency Spread Spectrum (FSS) with a switching frequency jitter of ±6%, which reduces EMI by not allowing emitted energy to stay in any one frequency for a significant period of time. It also has a proprietary gate driver scheme to resist switching node ringing without sacrificing MOSFET turn-on and turn-off times, which reduces high-frequency radiated EMI noise caused by MOSFET switching. The device is available in a 2x3mm W-QFN2030-13 package.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 10.85 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom10.85 A | Sättigungsstrom @ 30%16.25 A | Gleichstromwiderstand10.5 mΩ | Gleichstromwiderstand11.55 mΩ | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 9.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom9.6 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Gleichstromwiderstand13 mΩ | Gleichstromwiderstand14.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 16.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Performance Nennstrom16.3 A | Sättigungsstrom @ 30%23.25 A | Gleichstromwiderstand7.16 mΩ | Gleichstromwiderstand7.88 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16 MHz | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 8.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Performance Nennstrom8.1 A | Sättigungsstrom @ 30%11.3 A | Gleichstromwiderstand17.6 mΩ | Gleichstromwiderstand19.36 mΩ | Eigenresonanzfrequenz22 MHz | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 6.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom6.4 A | Sättigungsstrom @ 30%9.7 A | Gleichstromwiderstand26.5 mΩ | Gleichstromwiderstand29.15 mΩ | Eigenresonanzfrequenz18 MHz | MontageartSMT |