| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.3-5.5 V |
| IC-Revision | 00 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | fres(MHz) | VOP(V) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 10.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom10.1 A | Sättigungsstrom @ 30%11.5 A | Gleichstromwiderstand12 mΩ | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT |