| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.3-5.5 V |
| Ausgang 1 | 1 A |
The AP61100Q is a 1A, synchronous buck converter with an input voltage range of 2.3V to 5.5V and fully integrates a 120mΩ high-side power MOSFET and a 80mΩ low-side power MOSFET to provide high-efficiency step-down DC/DC conversion.The AP61100Q device is easily used by minimizing the external component count due to its adoption of constant on-time (COT) control to achieve fast transient responses, ease loop stabilization, and low output voltage ripple.The device is available in a SOT563 package.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | fres(MHz) | VOP(V) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 10.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom10.1 A | Sättigungsstrom @ 30%11.5 A | Gleichstromwiderstand12 mΩ | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 8.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom8.6 A | Sättigungsstrom @ 30%10.2 A | Gleichstromwiderstand16 mΩ | Eigenresonanzfrequenz48 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom6.2 A | Sättigungsstrom @ 30%7.9 A | Gleichstromwiderstand29 mΩ | Eigenresonanzfrequenz34 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT |