| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 5.5 V |
| Ausgang 1 | 3.3 V / 0.6 A |
| IC-Revision | Rev. 1 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 14.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom14.8 A | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%11.5 A | Gleichstromwiderstand4.75 mΩ | Eigenresonanzfrequenz158 MHz | MaterialSuperflux |