IC-Hersteller Diodes Incorporated

IC-Hersteller (103)

Diodes Incorporated AL8861 | Demoboard AL8861EV1

40V 1.5A BUCK LED DRIVER

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-40 V
Schaltfrequenz1000 kHz
IC-Revision1

Beschreibung

The AL8861EV1, Figure 1, is a double sided evaluation board for the AL8861 step-down, or ‘buck’, LED driver with internal switch. The evaluation board is preset to drive 680mA into a single LED, or multiple LEDs, the maximum number of which depends on their total forward voltage drop and the supply voltage. (The maximum drive current of the AL8861 is 1000mA)

Eigenschaften

  • Low BOM Counts
  • Wide Input Voltage Range: 4.5V to 40V
  • Output Current up to 1.5A
  • Internal 40V NDMOS Switch
  • Typical 5% Output Current Accuracy
  • Single Pin for On/Off and Brightness Control by DC Voltage or PWM Signal
  • Recommended Analog Dimming Range: 5% ~100%
  • Soft-Start
  • High Efficiency (up to 97%)
  • LED Short Protection
  • Inherent Open-Circuit LED Protection
  • Rs Short Protection
  • Over Temperature Protection (OTP)
  • Up to 1MHz Switching Frequency
  • Pb-free TSOT25 and SOT89-5 Packages

Typische Anwendungen

  • LED Retrofit for Low Voltage Halogen / Low Voltage Industrial Lighting / LED Backlighting / Illuminated Signs
  • External Driver with Multiple Channels

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Sättigungsstrom2.7 A
Gleichstromwiderstand133 mΩ
Eigenresonanzfrequenz17.5 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Sättigungsstrom2.2 A
Gleichstromwiderstand204 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Sättigungsstrom1.9 A
Gleichstromwiderstand248 mΩ
Eigenresonanzfrequenz11.4 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Sättigungsstrom1.6 A
Gleichstromwiderstand330 mΩ
Eigenresonanzfrequenz9.4 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Sättigungsstrom1.4 A
Gleichstromwiderstand478 mΩ
Eigenresonanzfrequenz7.7 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 µH
Sättigungsstrom1.1 A
Gleichstromwiderstand684 mΩ
Eigenresonanzfrequenz6.1 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance