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IC-Hersteller Diodes Incorporated

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ReferenzdesignAL8860EV2 | Demoboard AL8860EV2

Diodes Incorporated AL8860EV2 | Demoboard AL8860EV2

AL8860EV2 EVALUATION BOARD USER GUIDE

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-40 V
Schaltfrequenz1000 kHz
IC-Revision1

Beschreibung

The AL8860EV2, Figure 1, is a double sided evaluation board for the AL8860 step-down, or ‘buck’, LED driver with internal switch. The evaluation board is preset to drive 1.5A into a single LED, or multiple LEDs, the maximum number of which depends on their total forward voltage drop and the supply voltage. (The maximum drive current of the AL8860 is 1.5A)

Eigenschaften

  • Low BOM Counts
  • Wide Input Voltage Range: 4.5V to 40V
  • Output Current up to 1.5A
  • Internal 40V NDMOS Switch
  • Typical 5% Output Current Accuracy
  • Single Pin for On/Off and Brightness Control by DC Voltage or PWM Signal
  • Recommended Analog Dimming Range: 5% ~100%
  • Soft-Start
  • High Efficiency (Up to 97%)
  • LED Short Protection
  • Inherent Open-Circuit LED Protection
  • Over Temperature Protection (OTP)
  • Up to 1MHz Switching Frequency
  • Pb-free TSOT25 and MSOP-8EP Packages

Typische Anwendungen

  • External Driver with Multiple Channels
  • LED Retrofit for Low Voltage Halogen / LED Backlighting / Low Voltage Industrial Lighting / Illuminated Signs

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
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L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744771122
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 6 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom6 A
Sättigungsstrom3.7 A
Gleichstromwiderstand36 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13.5 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
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744771133
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 4.6 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom4.6 A
Sättigungsstrom3 A
Gleichstromwiderstand57 mΩ
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
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744771147
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 4.1 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität47 µH
Performance Nennstrom4.1 A
Sättigungsstrom2.6 A
Gleichstromwiderstand77 mΩ
Eigenresonanzfrequenz9.2 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
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744771168
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 3.55 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität68 µH
Performance Nennstrom3.55 A
Sättigungsstrom2.2 A
Gleichstromwiderstand105 mΩ
Eigenresonanzfrequenz7.6 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
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74477120
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 2.8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität100 µH
Performance Nennstrom2.8 A
Sättigungsstrom1.7 A
Gleichstromwiderstand160 mΩ
Eigenresonanzfrequenz6.6 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
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744771215
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 2.3 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität150 µH
Performance Nennstrom2.3 A
Sättigungsstrom1.45 A
Gleichstromwiderstand220 mΩ
Eigenresonanzfrequenz4.4 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
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744771220
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 1.85 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität220 µH
Performance Nennstrom1.85 A
Sättigungsstrom1.2 A
Gleichstromwiderstand340 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.8 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
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