IC-Hersteller AnDAPT Inc

IC-Hersteller (103)

AnDAPT Inc AmP8DB6QF65 | Demoboard ARD_X_VRX_A2_IC2

Adaptive Multi-Rail Power Platform B – AmP

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung12 V
Ausgang 11.2 V / 15 A
IC-Revision1

Beschreibung

The ARD_X_VRX_A1 and ARD_X_VRX_A2 are scalable power supplies designed to provide power to Xilinx Virtex UltraScale+ FPGA devices. The designs are scalable to support the Full Power Management FPGA devices.

Eigenschaften

  • AmP PMIC enables programmable custom PMIC
  • Integrate application targeted Power Components
  • Power Blocks for a variety of topologies
  • Scalable Integrated N-channel MOSFETs (SIM)
  • Voltage, current sense for protection, telemetry, regulation
  • Build Switching topologies - High/Low current buck, single/two phase DrMOS control
  • Build Linear topologies - LDO, Load Switch
  • Analog fabric connectivity for sensor signals
  • Digital μLogic fabric connectivity: Analog/Digital Blocks
  • Industry first: Analog Proficiency - Digital Flexibility

Typische Anwendungen

  • Power Component Integrator, Digital power management IC

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
LR(µH)
IR(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 10 µF, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor20 %
Isolationswiderstand0.01 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.35 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1088 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge10.2 mm
Breite8 mm
Höhe8.1 mm
Pad Dimension2.5 mm
Induktivität0.1 µH
Nenninduktivität0.099 µH
Nennstrom60 A
Sättigungsstrom 1107.3 A
Sättigungsstrom @ 30%114.1 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz94 MHz
MaterialMnZn