IC-Hersteller AnDAPT Inc

IC-Hersteller (103)

AnDAPT Inc AmP8DB6QF65 | Demoboard ARD_A_ARR10GT

Arria 10 GT

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung12 V
Ausgang 10.95 V / 55 A
IC-Revision1

Beschreibung

ARD_A_ARR10GTArria 10 GTThe ARD_A_ARR10GT is a scalable power supply designed to provide power to Altera Arria 10 GT devices. The design is scalable and flexible to support the FPGA family SKUs from the most basic 10AT090 to the most feature-rich and power hungry 10AT115. The programmable system integration, upward scalability, high performance/watt numbers and reduced time-to-market features of the AnDAPT’s AmP PMIC makes it an ideal match for handling power management responsibilities of Arria 10 GT FPGA solutions.

Eigenschaften

AmP PMIC enables programmable custom PMICIntegrate application targeted Power ComponentsPower Blocks for a variety of topologiesScalable Integrated N-channel MOSFETs (SIM)Voltage, current sense for protection, telemetry,regulationBuild Switching topologies - High/Low currentbuck, single/two phase DrMOS controlBuild Linear topologies - LDO, Load Switch

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(nH)
LR(nH)
IR(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), 22 µF, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität22 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung16 V (DC)
Bauform1206 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.005 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite1.6 mm
Höhe1.6 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1190 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge11.3 mm
Breite11 mm
Höhe8.9 mm
Pad Dimension2.2 mm
Induktivität250 nH
Nenninduktivität250 nH
Nennstrom38 A
Sättigungsstrom 154.4 A
Sättigungsstrom @ 30%64.7 A
Gleichstromwiderstand0.32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
MaterialMnZn