| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.25-5 V |
| Schaltfrequenz | 500-5000 kHz |
| Ausgang 1 | 1.8 V / 12.5 A |
| IC-Revision | A |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | LR(µH) | IR(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 0.1 µH, 0.01 µH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.1 µH | Nenninduktivität0.01 µH | Nennstrom27 A | Sättigungsstrom 118 A | Sättigungsstrom @ 30%19.1 A | Gleichstromwiderstand0.31 mΩ | Eigenresonanzfrequenz83 MHz | MaterialMnZn |