| Topologie | Sonstige Topologie |
| Eingangsspannung | 4.5-28 V |
| IC-Revision | 2 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.83 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität1000 µH | Performance Nennstrom0.83 A | Sättigungsstrom0.55 A | Gleichstromwiderstand1600 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.9 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt |