| Topologie | Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 0.4-5.5 V |
| Ausgang 1 | 3.3 V |
| IC-Revision | 3 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT1(A) | ISAT2(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 2.2 µH, 2.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität2.2 µH | Nennstrom2.1 A | Sättigungsstrom 11.25 A | Sättigungsstrom 22.8 A | Gleichstromwiderstand140 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz |