IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LTM8060F | Demoboard DC2820A-B

LTM8060F: Quad 40VIN, 3A Silent Switcher μModule Regulator with Package-Level EMI Shield

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung5.4-40 V
Schaltfrequenz400-1200 kHz
Ausgang 11.2 V / 3 A
Ausgang 21.5 V / 3 A
Ausgang 33.3 V / 3 A
Ausgang 45 V / 3 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The DC2820A-B evaluation board features the LTM®8060F, a quad output high-performance step-down Silent Switcher® power μModule® regulator in a thermally enhanced 16mm × 11.9mm × 2.9mm pre-soldered grid array (PSGA) package with a package-level electromagnetic interference (EMI) shield. The DC2820A-B has a wide operating input voltage range of 5.4V to 40V. The output rails are configured for 5V, 3.3V, 1.5V, and 1.2V. They are resistor programmable from 0.8V to 8V. Each output can provide up to 3A, and phases can also be paralleled together to satisfy higher rail current requirements.

Eigenschaften

Package-Level EMI ShieldingMinimize Near-Field Electric Field NoiseReduce Near-Field Magnetic Field NoisePin-to-Pin Compatible with the LTM8060Four Complete 3A (4A peak) Step-Down SwitchingPower SuppliesLow Noise Silent Switcher ArchitectureCompliant with CISPR22 Class B/CISPR25 Class 5Wide Input Voltage Range: 3V to 40VWide Output Voltage Range: 0.8V to 8V4A Continuous Output Current per Channel at 12VIN,3.3VOUT, fSW = 2MHz, TA = 60°CMultiphase or Multi-module Parallelable forIncreased Output CurrentLow Thermal Resistance, θJA = 8.4°C/W,θJCtop = 4.6°C/W, θJCbot = 1°C/WSelectable Switching Frequency: 200kHz to 3MHzAvailable in a Compact 165-Pin, 16mm × 11.9mm ×2.9mm, Pre-Soldered Grid Array (PSGA) Package

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
Q(%)
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Montageart
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR(mA)
Z @ 1 GHz(Ω)
H(mm)
Typ
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), 100 pF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 pF
Kapazität±10% 
Nennspannung16 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.8 mm
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 220 pF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität220 pF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.8 mm
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 680 pF, ±5%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität680 pF
Kapazität±5% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Güte1000 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.8 mm
WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1812 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge4.5 mm
Breite3.2 mm
Pad Dimension0.46 mm
Gleichstromwiderstand6 mΩ
MontageartSMT 
Impedanz @ 100 MHz100 Ω
Maximale Impedanz160 Ω
Maximale Impedanz1100 MHz 
Nennstrom8000 mA
Impedanz @ 1 GHz150 Ω
Höhe2.3 mm
TypHochstrom 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform4020 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge4.45 mm
Breite4.06 mm
Induktivität0.22 µH
Performance Nennstrom11.4 A
Sättigungsstrom 110.8 A
Sättigungsstrom @ 30%22.3 A
Gleichstromwiderstand7.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz195 MHz
MontageartSMT 
Höhe1.8 mm