| Topologie | LAN / POE |
| Eingangsspannung | 51-57 V |
| Ausgang 1 | 57 V |
The LTC®9101-1/LTC9102/LTC9103 chipset is a 48-port power sourcing equipment (PSE) controller designed for use in IEEE 802.3at Type 2, 802.3bt Type 3 and 4 compliant Power over Ethernet (PoE) systems. The LTC9101-1/LTC9102/LTC9103 is designed to power compliant 802.3af, 802.3at,and 802.3bt PDs. The LTC9101-1/LTC9102/LTC9103 chipset delivers lowest-in-industry heat dissipation by utilizing low-RDS(ON) external MOSFETs and 0.1Ω sense resistanceper power channel. A transformer-isolated communication protocol replaces expensive opto-couplers and complex isolated 3.3V supply, resulting in significant BOM cost savings.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | Datenrate | Ports | PoE | Improved CMRR | Betriebstemperatur | VT(V (RMS)) | Montageart | L(µH) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-LAN LAN Übertrager, 10/100/1000BASE-T, 1 | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LAN LAN Übertrager | Datenrate10/100/1000BASE-T | Ports1 | PoE4PPoE (bis zu 350 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität350 µH | ||||
![]() | WE-LAN LAN Übertrager, 10/100/1000BASE-T, 1 | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LAN LAN Übertrager | Datenrate10/100/1000BASE-T | Ports1 | PoE4PPoE (bis zu 600 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität350 µH | ||||
![]() | WE-LAN LAN Übertrager, 10/100/1000BASE-T, 1 | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LAN LAN Übertrager | Datenrate10/100/1000BASE-T | Ports1 | PoE4PPoE (bis zu 1000 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität350 µH |