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IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (107)

ReferenzdesignLTC7801

Analog Devices LTC7801

150V Low IQ, Synchronous Step-Down DC/DC Controller

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung7-140 V
Schaltfrequenz50-900 kHz
Ausgang 112 V / 5 A

Beschreibung

The LTC®7801 is a high performance step-down switchingregulator DC/DC controller that drives an all N-channelsynchronous power MOSFET stage that can operate frominput voltages up to 140V. A constant frequency currentmode architecture allows a phase-lockable frequency ofup to 850kHz.

Eigenschaften

Wide VIN Range: 4V to 140V (150V Abs Max)nn Wide Output Voltage Range: 0.8V to 60Vnn Adjustable Gate Drive Level: 5V to 10V (OPTI-DRIVE)nn Low Operating IQ: 40μA (Shutdown = 10μA)nn 100% Duty Cycle Operationnn No External Bootstrap Diode Requirednn Selectable Gate Drive UVLO Thresholdsnn Onboard LDO or External NMOS LDO for DRVCCnn EXTVCC LDO Powers Drivers from VOUTnn Phase-Lockable Frequency (75kHz to 850kHz)nn Programmable Fixed Frequency (50kHz to 900kHz)nn Selectable Continuous, Pulse-Skipping or Low RippleBurst Mode® Operation at Light Loadsnn Adjustable Burst Clampnn Power Good Output Voltage Monitornn Programmable Input Overvoltage Lockoutnn Small 24-Lead 4mm × 5mm QFN or TSSOP Packages

Typische Anwendungen

  • High Voltage Battery Operated Systems
  • Automotive and Industrial Power Systems,Telecommunications Power Systems

Weiterführende Informationen

Von Analog Devices freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Drahttype
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7443633300
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 13.3 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom13.3 A
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%11 A
Gleichstromwiderstand12.54 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
DrahttypeFlach 
–Verfügbarkeit prüfen