IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LTC7131-1

25A Monolithic Synchronous DC/DC Step-Down Converter with PMBus Interface

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-20 V
Schaltfrequenz250-2000 kHz
Ausgang 15 V / 25 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The LTC®7131-1 is a high efficiency, 25A monolithicsynchronous buck regulator using a phase lockable controlled on-time, current mode architecture. The output voltage is programmable with a single external resistor or an external voltage reference through the reference input (REF) pin. The output voltage can be margined up or down up to ±25% with 0.1% resolution via a PMBus-compliant serial interface. The serial interface can also be used to read back fault status and both time-averaged (~4ms) and peak input/output current, input/output voltage and temperature. System configuration and monitoring is supported by the LTpowerPlay® development system.

Eigenschaften

  • 4.5V to 20V VIN Range
  • 1% Total VOUT Accuracy Over Temperature
  • Single Resistor-Programmable Reference Voltage: 0.4V to 3.5V
  • PMBus Compliant Serial Interface:
  • Programmable Output Voltage Margining: Up to ±25% VOUT Range with 0.1% Resolution
  • Read Back of Average and Peak Temperature, Current, and Voltage (25Hz Refresh Rate)
  • Fault Status
  • Phase-Lockable Fixed Frequency Up to 2MHz
  • Less Than 1ms Power-Up Time
  • Optional External Reference Input
  • Pin Selectable Fast-Margining of the Output Voltage
  • Power Good Flag with Pin Programmable Thresholds and Filter Delay
  • Differential Remote Output Voltage Sensing
  • Master Shutdown Mode: 125μA Supply Current
  • Clock Out for 2-Phase Operation (50A Load)
  • Available in a Thermally-Enhanced 6.25mm × 7.5mm× 2.22mm BGA Package

Typische Anwendungen

  • Point of Load Conversion, Intelligent Energy Efficient Power Conversion
  • ASIC/FPGA/Processor Power

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
LR(µH)
IR(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Muster
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 0.15 µH, 0.147 µH
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nenninduktivität0.147 µH
Nennstrom60 A
Sättigungsstrom 180.5 A
Sättigungsstrom @ 30%87.1 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz63 MHz
MaterialMnZn 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 0.17 µH, 0.15 µH
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.17 µH
Nenninduktivität0.15 µH
Nennstrom60 A
Sättigungsstrom 162.9 A
Sättigungsstrom @ 30%69.3 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
MaterialMnZn 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 0.18 µH, 0.165 µH
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
Nenninduktivität0.165 µH
Nennstrom60 A
Sättigungsstrom 159.3 A
Sättigungsstrom @ 30%66.4 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz53 MHz
MaterialMnZn 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 0.25 µH, 0.246 µH
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.25 µH
Nenninduktivität0.246 µH
Nennstrom25 A
Sättigungsstrom 141.6 A
Sättigungsstrom @ 30%46.5 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MaterialMnZn