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Analog Devices LT8419 | Demoboard EVAL-LT8419-AZ
100V Half-Bridge GaN Driver with Single-Pin, Three-State PWM Input, Smart Integrated Bootstrap Switch, and Adjustable Dead Time
Details
| Topologie | Half-Bridge Converter Nonisolated |
| Eingangsspannung | 48 V |
Beschreibung
The EVAL-LT8419-AZ evaluation board features the LT8419 driving two 100V enhanced gallium nitride (eGaN) devices in a half-bridge configuration. The circuit is optimized as a buck converter with 48VHV to 24/12VLV at a 1MHz switching frequency, but it can be used as a boost converter or other converter topologies consisting of a half-bridge.An external PWM signal is required to drive the board. The LT8419 driver has powerful 0.2Ω pull-down and 0.6Ω pull-up drivers to control the gates of the two 100V GaN devices. It also integrates a smart integrated bootstrap switch to generate a balanced bootstrap voltage from VCC with a minimum dropout voltage. The LT8419 provides split gate drivers to adjust the turn-on and turn-off slew rates of the GaN devices to suppress ringing and optimize EMI performance.
Typische Anwendungen
Weiterführende Informationen
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Montageart | MusterVerfügbarkeit & Muster | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 27.9 A | Verfügbarkeit – | Status AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom27.9 A | Sättigungsstrom @ 30%28 A | Gleichstromwiderstand3.8 mΩ | Gleichstromwiderstand4.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz15 MHz | MontageartSMT | –Verfügbarkeit prüfen | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Verfügbarkeitsprognose
WE Artikelnummer VerpackungseinheitWiederbeschaffungszeit
––– Wochen
| Erwartete Verfügbarkeit | Eingehender Bestand | Menge |
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| Aktuelle Verfügbarkeit | – | – |