IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LT8335

Low IQ Boost/SEPIC/ Inverting Converter with 2A, 28V Switch

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung3-25 V
Schaltfrequenz1800-2200 kHz
Ausgang 128 V / 2 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The LT®8335 is a current mode DC/DC converter capableof generating either positive or negative output voltagesusing a single feedback pin. It can be configured as aboost, SEPIC or inverting converter consuming as low as6µA of quiescent current. Low ripple Burst Mode operationmaintains high efficiency down to very low outputcurrents while keeping the output ripple below 15mV ina typical application. The internally compensated currentmode architecture results in stable operation over a widerange of input and output voltages. Integrated soft-startand frequency foldback functions are included to controlinductor current during start-up. The 2MHz operationcombined with the small 8-lead DFN package, enableslow cost, area efficient solutions

Eigenschaften

1) 3V-25V Input Voltage Range2)Ultrlow Quiescent Current and Low Ripple Burst Mode Operation:Iq=6uA3) 2A,28V Power Switch4) Positive or Negative Output Voltage Programming with a single feedback Pin5) Fixed 2MHz Switching Frequency6) Programmable Undervoltage Lockout (UVLO)Internal Compensation and Soft-Start7) Low Profile(0.75mm) 8-Lead(3mmx2mm) DFN Package

Typische Anwendungen

  • Industrial and Automotive
  • Medical Diagnostic Equipment
  • Telecom
  • Portable Electronics

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
Montageart
L1(µH)
L2(µH)
IR 1(A)
IR 2(A)
ISAT 1(A)
RDC1 typ(Ω)
RDC2 typ(Ω)
RDC1 max(Ω)
RDC2 max(Ω)
fres(MHz)
Typ
Muster
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 0.47 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom8.7 A
Sättigungsstrom 110.4 A
Sättigungsstrom @ 30%19.6 A
Gleichstromwiderstand14 mΩ
MontageartSMT 
Eigenresonanzfrequenz122 MHz
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 1.8 µH, 4.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom4.7 A
Sättigungsstrom6.5 A
Gleichstromwiderstand34 mΩ
Induktivität 11.8 µH
Induktivität 21.8 µH
Nennstrom 14.7 A
Nennstrom 24.7 A
Sättigungsstrom [1]6.5 A
Gleichstromwiderstand 10.025 Ω
Gleichstromwiderstand 20.025 Ω
Gleichstromwiderstand 10.034 Ω
Gleichstromwiderstand 20.034 Ω
Eigenresonanzfrequenz58 MHz
TypGerade 
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom3.4 A
Sättigungsstrom4.3 A
Gleichstromwiderstand24 mΩ
MontageartSMT 
Eigenresonanzfrequenz48 MHz
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.48 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom3.48 A
Sättigungsstrom4.5 A
Gleichstromwiderstand25 mΩ
MontageartSMT 
Eigenresonanzfrequenz59 MHz
750316134
Power Transformer, –, –
Simu­lation
Downloads
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Power Transformer